Анотація до роботи:

Кобзар О. О. Дефектно-домішкова взаємодія в кремнії, легованому ізовалентними домішками. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Інститут фізики НАН України, Київ, 2006.

Дослідження присвячене вивченню процесів дефектно-домішкової взаємодії, які протікають в кремнії, легованому оловом та вуглецем, під дією іонізуючого опромінення та подальших термообробок. Встановлено, що домішкові атоми Sn в опроміненому кремнії при відпалі ефективно взаємодіють з міжвузельним вуглецем з утворенням центрів “міжвузловинний вуглець + олово”. Експериментально показано, що центри можуть існувати в двох структурних конфігураціях з різною термічною стабільністю. Оцінено ефективність взаємодії міжвузельного вуглецю з оловом. Змодельовано енергетичну структуру виявленого дефекту. Встановлено, що олово значно впливає на дифузію центрів “вакансія + кисень” в кремнії. Дифундуючі при відпалі центри “вакансія + кисень” ефективно взаємодіють з домішковими атомами Sn з утворенням нових дефектів “олово + вакансія + кисень”. Для виявлених центрів визначено енергію активації відпалу. Показано, що в кремнії n-типу легування оловом призводить до зниження радіаційної стійкості, тоді як в кремнії p-типу наявність олова може призводити до її зростання. Визначено діапазон доз опромінення та концентрацій мілких акцепторів, при яких Si:Sn p-типу є більш радіаційно стійким, ніж Si.

Публікації автора:

1. Khirunenko L. I., Kobzar O. A., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko N. A., Markevich V. P., Murin L. I., Peaker A. R. Defect-impurity interactions in irradiated tin-doped Cz-Si crystals. // Phys. Stat. Sol. – 2003. – N. 2. – Р. 694 – 697.

2. Хируненко Л. И., Кобзарь О. А., Помозов Ю. В., Соснин М. Г., Трипач-ко Н. А. Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии. // ФТП. – 2003. – T. 37, В. 3. – С. 304 – 309.

3. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O. Peculiarities of vacancy-related defects formation in Si doped with tin. // Physica B. – 2003. – V. 340 – 342. – Р. 541 – 545.

4. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripach-ko M. O., Abrosimov N. V., Riemann H. Interstitial-related reactions in silicon doped with isovalent impurities. // Physica B. – 2003. – V. 340 – 342. – Р. 546 – 550.

5. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripach-ko M. O., Abrosimov N. V., Riemann H. Interstitial-related radiation defects in silicon doped with tin and germanium. // Solid State Phenomena. – 2004. – V. 95 – 96. – P. 393 – 398.

6. Хируненко Л. И., Кобзарь О. А., Помозов Ю. В., Соснин М. Г., Трипач-ко Н. А. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном оловом. // Тезисы 3-й Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний – 2003), М.: МИСиС, 2003, с. 153 – 154.

7. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripachko M. O. Peculiarities of vacancy-related defects formation in Si doped with tin. // Materials of The 22-nd International Conference on Defects in Semiconductors (July 28 – August 1, 2003). – Aarhus, Denmark. – 2003.

8. Khirunenko L. I., Kobzar O. O., Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Tripach-ko M. O., Abrosimov N. V., Riemann H. Interstitial-related reactions in silicon doped with isovalent impurities. // Materials of The 22-nd International Conference on Defects in Semiconductors (July 28 – August 1, 2003). – Aarhus, Denmark. – 2003.