Анотація до роботи:

Сидор О.М. Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем. – Інститут термоелектрики Національної академії наук України та Міністерства освіти і науки України, Чернівці, 2006.

У роботі створено якісні і відтворювані поверхнево-бар’єрні структури метал/p-CuInSe₂ (метал – Іn, Sn, Zn), визначено та інтерпретовано механізми проходження струму, вперше з єдиної точки зору проведено зіставлення експериментальних результатів з відомими теоретичними виразами. Вперше встановлено закономірності формування власного оксиду на поверхні InSe внаслідок довготривалого термічного окислення (до 5 діб) та досліджено його вплив на електричні, фотоелектричні, властивості ГП власний оксид – InSe. Зафіксовано позитивний вплив невеликих доз ( 300 Р) г-опромінення на дані переходи. У роботі вперше розглянуто можливість оптимізації фотоелектричних параметрів структур власний оксид – p-InSe, внаслідок чого к.к.д. доведено до 5,9 %. Вперше показана можливість створення методом термічного окислення випростовуючих ізотипних ГП власний оксид/n-InSe, оксидних n-p-n та n-n-n ФТ на основі InSe та низькорозмірних утворень на межі розділу оксид – шаруватий напівпровідник. Приведено результати досліджень електричних та фотоелектричних властивостей оптичного контакту шаруватий – нешаруватий напівпровідник (InSe – CuInSe₂).

Публікації автора:

1. Ковалюк З.Д., Орлецький В.Б., Сидор О.М., Нетяга В.В. Дослідження електричних та оптичних властивостей бар’єрів Шоткі In/p-CuInSe₂ // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4, № 3. – С.401-406.

2. Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Сидор О.М. Гетеропереходи на основі власний оксид – p-InSe // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, Електроніка. – 2004. В.201. – С.66-68.

3. Ковалюк З.Д., Орлецкий В.Б., Сидор О.Н., Нетяга В.В. Поверхностно-барьерные переходы олово – диселенид индия и меди // Письма в ЖТФ. – 2004. – Т. 30, № 10. – С.12-16.

4. Горлей П.Н., Ковалюк З.Д., Орлецкий В.Б., Сидор О.Н., Нетяга В.В., Хомяк В.В. Механизмы протекания тока в структурах металл/p-CuInSe₂ // Журнал технической физики. – 2004. – Т. 74, № 5. – С.141-142.

5. Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Savchuk A.I., Sydor O.M. Intrinsic conductive oxide – p-InSe solar cells // Mater. Sci. Eng. B. – 2004. – Vol. 109. – P.252-255.

6. Kovalyuk Z.D., Sydor O.M., Netyaga V.V. Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2004. – Vol.7, No.4. – P.360-362.

7. Ковалюк 3.Д., Катеринчук В.Н., Сидор О.Н. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры “окисел – InSe –окисел” // ТКЭА. – 2005. – №1. – С.38-40.

8. Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Mintyanskii I.V., Savchuk A.I., Sydor O.M. g-Radiation influence on the photoelectrical properties of oxide – p-InSe heterostructure // Mater. Sci. Eng. B. – 2005. – Vol. 118. – P.147–149.

9. Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Sydor O.M. Photoelectrical properties of heterojunctions connected with Van-der-Waals forces // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – 2005. – Vol.7, No.2. – P.903-906.

10. Сидор О.М. n⁺ – n-InSe– n⁺ фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. – 2005. – В.17. – С.95-97.

11. Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.Н. Влияние g-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур // ТКЭА. – 2005. – №5. – С.47-48.

12. Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Нетяга В.В. Механизмы токопереноса и фоточувствительность диодов Шоттки Zn/CuInSe₂ // Письма в ЖТФ. – 2006. – Т.32, №10. – С.88-94.

13. Gonzalez-Hernandez J., Horley P.P., Gorley P.N., Khomyak V.V., Savchuk A.I., Kovalyuk Z.D., Sydor O.М. Growth and comparative characterization of Cu(In,Ga)Se₂ single crystals and thin films // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2002 E-MRS 2002, Symposium B, – Strasbourg, France, June 18 – 21, 2002. – Р.B4.

14. Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Zaslonkin A.V., Sуdor O.M. InSe Solar Cells // Proceedings of International conference “Science for Materials in the Frontier of Centuries: Advantages and Challenges”. – Kyiv, Ukraine, November 4 – 8, 2002. – P.127-128.

15. Сидор О.М. Створення та дослідження фоточутливих структур на основі бар’єру Шоткі In/CuInSe₂ // Тезиси доповідей Всеукраїнської конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРИКА-2003, Львів, 21 – 23 травня, 2003. – С.146.

16. Gonzales-Hernandez J., Vorobiev Yu.V., Horley P.P., Gorley P.N., Khomyak V.V., Savchuk A.I., Kovalyuk Z.D., Sydor O.М. Structural and optical properties of Cu(In,Ga)Se₂ single crystals and thin films // Abstracts of the European Material Research Society Spring Meeting 2003 E-MRS 2003, Symposium D, – Strasbourg, France, June 10 – 13, 2003. – Р.D28.

17. Ковалюк З.Д., Сидор О.М., Орлецький В.Б. Селективні фоточутливі гетеропереходи InSe/CuInSe₂ ближнього ІЧ-діапазону // Тезиси міжнародної науково-практичної конференції „Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”, – Одеса, 1 – 5 червня, 2004. – C.142.

18. Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Сидор О.М. Перспективи створення сонячних елементів на основі шаруватого InSe // Тезиси ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, – Чернівці-Вижниця, 20 – 24 вересня, 2004. – C.30.

19. Катеринчук В.М., Сидор О.М. Дослідження фоточутливих гетероструктур оксид/n-InSe, отриманих методом термічного окислення // Тезиси ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, – Чернівці-Вижниця, 20 – 24 вересня, 2004. – C.102.

20. Коvalyuk Z.D., Sydor О.M. Photovoltaic effect of n-InSe – p-CuInSe₂ optical contact // Abstracts of the 2nd International Conference on Materials Science and

Condensed Matter Physics, – Chisinau, Moldova, September 21-26, 2004. – P.146.

21. Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Сидор О.М. Динаміка структурного переходу в плівках власного оксиду шаруватих кристалів InSe // Тезиси X Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок МКФТТП-X, – Івано-Франківськ, 16 – 21 травня, 2005. – С.323-324.

22. Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Сидор О.Н. ІnSe изотипный фотогетеротранзистор // Международная конференция “Современное материаловедение: Достижения и проблемы”, – Киев, 26 – 30 сентября, 2005. – С.451-452.

23. Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Сидор О.М. Періодична структура квантових точок гетероструктр власний оксид – шаруватий кристал InSe // Тези доповідей Всеукраїнського з’їзду “Фізика в Україні”, – Одеса, 3 – 6 жовтня, 2005. – С.159.