Показано, що при зміні густини ПД незалежно від їх типу профілі порошкових піків, за виключенням піків з індексами h00, змінюються немонотонно. У всьому інтервалі досліджених концентрацій ПД різних типів піки h00 суттєво розширюються, а їх профіль залишається симетричним. Встановлені дифракційні ознаки, обумовлені появою в ГЦК кристалі хаотично розташованих ПД різних типів. Утворення деформаційних ДП високої густини (більше 0,1 %) призводить до зміни форми порошкових піків (з’являється асиметрія і розширення), а положення максимумів інтенсивності практично не змінюється. Цей висновок не відноситься до піків з індексами h00. Відмінність дифракційних ефектів, обумовлених появою деформаційних і подвійних деформаційних ДП в ГЦК кристалі, полягає в тому, що асиметрія піків спостерігається з різних сторін по відношенню до пікової інтенсивності, а зміщення піків h00 відбувається в протилежні напрямки. Ознакою наявності ДГ в ГЦК кристалі є симетричне розширення усіх без винятку дифракційних піків при незмінному їх кутовому положенні. Показано, що вплив ПД різних типів на дифракційну картину має аддитивний характер, тобто при наявності в ГЦК кристалі ПД різних типів величини, що характеризують дифракційні ефекти (ширина піку, величина зміщення та ін.) такого кристалу, є аддитивною сумою величин, відповідних кристалам, в яких присутні ПД тільки одного типу з відповідними парціальними концентраціями. Показано, що при великих концентраціях ПД залежність між початковим нахилом кривої коефіцієнтів Фур’є-розкладу фізичного профілю піків при косинусах і густиною ПД є немонотонною, а при малих концентраціях ПД (менше 1 %) суттєво відрізняється від тої, що одержана Уореном і Авербахом у припущенні малих концентрацій ПД. Тобто, застосовування методу Уорена–Авербаха може призвести до помилки у визначенні значення концентрації ПД в ГЦК кристалі. Запропоновані зміни до співвідношень між похідною Фур’є-коефіцієнтів та концентрацією ПД, що дозволяють використовувати метод Уорена–Авербаха при будь-яких значеннях концентрації ПД за умови наявності фізичного профілю піків h00. Методом повнопрофільного аналізу дифрактограм доведено, що структура мідних порошків одномірно развпорядкована двійниковими границями. Показано, що при збільшенні потужності ударів, крім процесу диспергування, спостерігається збільшення густини ДГ і густини дислокацій. Встановлено, що відносні зміни густини ДГ корелюють зі змінами співвідношення нормальних і тангенціальних складових удару, а відносні зміни густини дислокацій корелюють з енергією механо-активаційного процесу.
Список використаної літератури 1. Paterson M. S. X-ray diffraction by faсe-centered crystals with deformation faults // J. Appl. Phys. – 1952. – Vol. 23. № 8. – P. 805 – 811. 2. Berliner R., Werner S. A. Effect of stacking faults on diffraction: The structure of lithium metal // Phys. Rev. B. – 1986. – Vol. 34. № 6. – P. 3586 – 3603. 3. Олиховская Л. А. Диффузное рассеяние ретгеновских лучей в 2Н- и 3С-кристаллах с упорядоченными дефектами упаковки: Дис…канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. – К., 1990. – 147 с. 4. Nikolin B. I., Babkevich A. Yu. The Monte Carlo simulation of random stacking faults in close-packed structures // Acta Cryst. A – 1989. – Vol. 45. – P. 797 – 801. 5. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций: Пер. с англ. – М.: Атомиздат, 1972. – 599 с. 6. Уоррэн Б. И. Рентгенографическое изучение деформированных металлов // Успехи физики металлов. – М.: Металлургиздат. – 1968. – С. 172 – 273. 7. Вильсон А. Оптика рентгеновских лучей: Пер. с англ. – М.: ИЛ, 1951. – 142 с. 8. Гинье А. Рентгенография металлов: Пер. с франц. – М.: Гос. из-во физ.-мат. лит., 1961. – 604 с. 9. Warren B. E., Averbach B. L. The effect of cold-work distortion on X-ray patterns // J. Appl. Phys. – 1950. – Vol. 21. – P. 595 – 599. 10. Warren B. E., Averbach B. L. The separation of cold-work distortion and particle size broadening in X-ray Patterns // J. Appl. Phys. – 1952. – Vol. 23. № 4. – P. 497 – 497. 11. Вишняков Я. Д. Дефекты упаковки в кристаллической структуре. – М.: Металлургия, 1970. – 215 с. 12. Горелик С. С., Скаков Ю. А., Расторгуев Л. Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. – М.: МИСИС, 1994 – 327 с. 13. Ungar T., Ott S., Sanders P. G., Borbely A., Weertman J. R. Dislocation, grain size and planar faults in nanostructured copper detemined by high resolution X-ray diffraction and a new procedure of peak profile analysis // Acta Mater. – 1998. – Vol. 46. № 10. – P. 3693 – 3699. 14. Ungar T., Borbely A. The effect of dislocation contrast on x-ray line broadening: A new approach to line profile analysis // J. Appl. Phys. Lett. – 1996. – Vol. 69. № 21. – P. 3173 – 3175. 15. Gaffet E., Abdellaoui M., Malhouroux-Gaffet N. Formation of Nanostructural Materials Induced by Mechanical Processings // Mater. Trans. JIM. – 1995. – Vol. 36. № 3 – Р. 198 – 209. 16. Abdellaoui M., Gaffet E. The physics of mechanical alloying in a planetary ball mill: matematical treatment // Acta Metall. – 1995. – Vol. 43. № 3 – Р. 1087 – 1098. |
