Анотація до роботи:

Бутько В.Г. Електронна щільність і градієнт електричного поля в купратах та рідкісноземельних оксидах. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна, Національна академія наук України, Донецьк, 2006.

Дисертація присвячена застосуванню модифікованого статистичного методу до розрахунків електронних властивостей металооксидних кристалів. Продемонстровано ефективність методу при розрахунках багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку і великим числом атомів в елементарній комірці.

Детальне дослідження розподілу електронної щільності в сполуці дозволило зняти протиріччя між структурними даними нейтронографічних і рентгенівських вимірів цієї системи.

У рамках модифікованого статистичного методу отриманий гарний кількісний опис тензора градієнта електричного поля як при стиску, так і при зміні стехіометрії системи. Виявлена зміна знака похідної квадрупольної константи за тиском при переході від орторомбічної структури до тетрагональної пояснює істотний вплив нестійкості ґратки La-Sr оксидів на електричні надтонкі взаємодії.

Було проведено вивчення можливості зміни валентності рідкісноземельних іонів під впливом надвисокого тиску при незмінності кристалічної структури сполук. Проведені розрахунки розподілу електронної щільності кристалів PrO₂ і Sm₂O₃ при різних ступенях стиску й обчислені відповідні середні заряди іонів.

Відповідно до принципу електронейтральності Полінга аналізується припущення про те, що динаміка зміни величини середнього заряду іона може служити мірою нестійкості системи. В такому ракурсі розглянутий структурний фазовий перехід, ініційований високим тиском, в кристалі EuO. Результати розрахунків добре корелюються з експериментальними даними.