Анотація до роботи:

Мельник О.Я. Електронні релаксації радіаційних дефектів при-поверхневого шару кристалів цезій галоїдів та екзоемісія електронів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-мате-матичних наук за спеціальністю 01.04.18 – фізика і хімія поверхні. – Прикар-патський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 2005.

Дисертацію присвячено дослідженню взаємозв’язку явища екзоемісії електронів та електронних релаксацій радіаційних дефектів. Проведені теоретичні дослідження термостимульованої екзоемісії, зумовленої процесами рекомбінаційного відпалу комплементарних центрів забарвлення радіаційно опромінених кристалів CsBr та CsI. У рамках побудованої Оже-подібної рекомбінаційної моделі явища розраховані концентрації екзоемісійно-активних центрів і показано тотожність цих центрів та електронних F-центрів забарвлення. Розраховано ряд кінетичних параметрів процесів у піках спектрів термостимульованої екзоемісії електронів (енергію активації, частотний фактор, ефективний перетин рекомбінацій), а отримані їх значення підтверджують рекомбінаційну природу явища екзоемісії.

В одноелектронному наближенні механізму рекомбінацій дефектів для CsBr та CsI розраховані енерґетичні спектри народжених екзоелектронів. Отримано характеристики цих спектрів, а також величину ймовірності подолання поверхневого енергетичного бар’єра екзоелектронами. Проведено модельні оцінки глибини виходу екзоелектронів, народжених у результаті екзо-реакцій, з врахуванням енергетичних втрат при розсіянні на фононах та дефектах. Зроблені оцінки товщини екзоемісійно-активного приповерхневого скін-шару кристалу CsBr. Результат свідчить про ефективність екзоемісійного методу для дефектоскопії поверхні та тонких приповерхневих шарів.

Розглянуто загасання струму ізотермічної екзоемісії, зумовленої тунельними та термоактивованими рекомбінаціями, при кімнатній температурі. Шляхом формального аналізу експериментальних кривих загасання підтверджений другий порядок кінетики явища. Встановлено, що термоактивовані рекомбінації комплементарних пар центрів забарвлення відіграють визначальну роль у формуванні струму ізотермічної екзоемісії. Розрахована екзоемісійна чутливість кристалу CsBr до ультрафіолетового випромінювання підтвердила перспективність його застосування у скін-дозиметрії.

Публікації автора:

1. Галій П.В., Лосик М.І., Мельник О.Я. Роль термоактивованих та тунельних електронних релаксацій радіаційних дефектів у виникненні струму ізотермічної екзоемісії // Український фізичний журнал.- 2005.- т.50, №5.- С.469-476. Дисертант провела аналітичні та чисельні розрахунки складових струму ізотермічної екзоемісії. Брала участь у обговоренні та інтерпретації результатів, а також формуванні первинних висновків.

2. Galiy P.V., Mel’nyk O.Ya. and Tsvetkova O.V. Excitonic ionizations of the electron centres in caesium iodide crystal and exoemission of electrons // Journal of Luminescence.- 2005.- vol.112, №1-4.- P.105-108. Дисертант провела розрахунки енергетичних спектрів народжених екзоелектронів та їх характеристик для кристалів цезій йодиду. Брала участь у обговоренні та інтерпретації результатів.

3. Галій П.В., Мельник О.Я. Енерґетичний спектр та ймовірність виходу екзоелектронів у рекомбінаційній моделі екзоемісії // Журнал фізичних досліджень.- 2003.- т.7, №1.- С.84-92. Дисертант побудувала та обґрунтувала схему розрахунку енергетичних спектрів народжених екзоелектронів та у одноелект-ронному наближенні отримала аналітичний вираз для них. Провела оцінки ймовір-ності виходу екзоелектронів з поверхні броміду цезію. Брала участь у формуванні висновків.

4. Галій П.В., Мельник О.Я. Електронні релаксації радіаційних дефектів аніонної підгратки кристалів броміду цезію та екзоемісія електронів // Український фізичний журнал.- 2002.- т.47, №4.- C.376-384. Дисертант отримала аналітичний вираз для струму екзоелектронної емісії, а також розраховувала концентрації екзоемісійно-активних центрів CsBr. Брала участь у обговоренні результатів.

5. Galiy P., Mel’nyk O. Electronic relaxations of radiative defects of the anion sub-lattice in caesium bromide crystals and exoemission of electrons // Radiation Effe-cts & Defects in Solids.- 2002.- vol.157, №6-12.- P.683-689. Дисертант провела формальний аналіз кривих загасання струму ізотермічної екзоелектронної емісії та розрахувала характеристики енергетичних спектрів народжених екзоелектронів.

6. Galiy P., Mel’nyk O. Estimation of the slow electrons maximum escape depth for the exoemissive surface skin-dosimetry // Вісник Львівського університету. Серія фізична.- 2002.- Вип. 35.- С.12-17. Дисертант запропонувала схему оцінки зверху для максимальних глибин виходу екзоелектронів (товщин екзоемісійно-активного приповерхневого шару) та провела цю оцінку.

7. Кількісна оже-електронна спектроскопія формування інтерфейсних шарів вуглецю на поверхнях вакуумних сколів кристалів шаруватих напівпровідників In₄Se₃ / Галій П., Ненчук Т., Мельник О., Стахіра Й. // Український фізичний журнал.- 2003.- т.48, №3.- C.256-268. Дисертант провела кількісний аналіз досліджуваної шаруватої системи. Брала участь у обговоренні результатів.

8. Галій П.В., Лосик М.І., Мельник О.Я. Роль термоактивованих та тунельних електронних релаксацій радіаційних дефектів у виникненні струму ізотермічної екзоемісії // Наук. конф. професорсько-викладацького складу Ін-ту прикл. мат. та фунд. наук / Зб. тез, 26-28 травня 2005р.- Львів: Національний університет “Львівська політехніка”, 2005.- С.66.

9. Galiy P., Mel’nyk O., Tsvetkova O. Excitonic ionizations of the electron centres in the caesium iodide crystal and exoemission of electrons // 6^th Intern. Conf. on Excitonic Processes in Condensed Matter EXCON’04 / Book of Abstr., 6-9 July 2004.- Cracow, 2004.- P26.

10. Galiy P., Mel’nyk O. CsBr efficiency for exoemissive UV-skin-dosimetry in isothe-rmal relaxational exoemission mode // 14^th Int. Conf. on Solid State Dosimetry SSD14 /
Conf. prog. and book of abstr., 27 June-2 July 2004.- New Haven, 2004.- P.131.

11. Galiy P.V. and Mel’nyk O.Ya. Isothermal relaxational exoemission, responsible for the loss of information, stored up by UV-excitation cesium bromide crystals // 5^th Europ. Conf. on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation LUMDETR’2003 / Book of Abstr., 1-5 September 2003.- Prague, 2003.- P.102.

12. Мельник О. Збуджені екзоелектрони: енергетичний спектр та рух до поверхні // Всеукр. конф. студ. і молодих науковців з теор. та експ. фізики ЕВРИКА-2003 / Зб. тез, 21-23 травня 2003 р.- Львів, 2003.- C.134.

13. Galiy P., Mel’nyk O. Electronic relaxations of radiative defects of the anion sublattice in caesium bromide crystals and exoemission of electrons // 9^th Europhys. Сonf. on Defects in Insulating Materials EURODIM2002 / Program & Abstr., 1-5 July 2002.- Wroclaw, 2002.- Tu-P18.

14. Мельник О.Я., Митроган М.М. Енергетичний спектр екзоелектронів у ре-комбінаційній моделі // Матеріали XVII Відкр. наук.-тех. конф. молодих науковців і спеціалістів ФМІ ім. Г. Карпенка НАН України КМН-2002. / За ред. З.Т. Назарчука.- Львів:ФМІ, 2002.- C.91-94. Дисертант отримала матричний елемент іонізації електронних F-центрів, а також запропонувала спосіб розрахунку області локалізації збудженого електрона F-центра.

15. Мельник О. Розрахунок енергетичного спектру екзоелектронів для бромі-ду цезію // Всеукр. конф. молодих науковців з теор. та експ. фізики ЕВРІКА–2002 / Зб. тез, 22-24 травня 2002.- Львів, 2002.- C.42-43.

16. Estimation of the slow electrons maximum escape depth for the exoemissive surface skin-dosymetry / Galiy P., Mel’nyk O., Nenchuk T., Tsvetkova O. // VIII Int. Sem. on Phys. and Chem. of Solids / Book of Abstr., 19-21 June 2002.- Lviv, 2002.- P.16.

17. Мельник О.Я. Рекомбінаційна модель екзоелектронної емісії з широкозонних матеріалів // XVI Відкр. наук.-тех. конф. молодих науковців і спеціалістів ФМІ ім. Г.В. Карпенка НАН України КМН-2001: Матеріали конф. / За ред. З.Т. Назарчука.- Львів:ФМІ, 2001.- C.139-142.

18. Mel’nyk O. The exoemission recombinational model for the wide-band-gap materials // XVI Open sci. and tech. conf. of young scient. and spec. of Karpenko PMI of NAS of Ukraine YSC-2001 / Abstr., 16-18 May, 2001.- Lviv, 2001.- P.41.