Салех М М Журбан. Елементи та пристрої автоматики на базі потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки. : Дис... канд. наук: 05.13.05 - 2007.
Анотація до роботи:
Салех М М Журбан. Елементи та пристрої автоматики на базі потенційно-нестійких двозатворних напівпровідникових структур Шоттки. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.13.05 – Елементи та пристрої обчислювальної техніки та систем керування. – Вінницький національний технічний університет, Вінниця – 2007.
У дисертації, на базі проведеного аналізу сучасних досягнень побудови елементів і пристроїв автоматики на базі напівпровідникових структур Шоттки, показано перспективність застосування з цією метою двозатворних напівпровідникових структур Шоттки, що є багатофункціональними електронними приладами. Їхнє використання в режимі потенційної нестійкості дозволяє покращити технічні характеристики ряду елементів і пристроїв автоматики. Вперше розроблено узагальнену імітансну математичну модель двозатворної напівпровідникової структури Шоттки, що забезпечує проведення її досліджень, як 18 узагальнених перетворювачів імітансу в частотній області при будь-яких значеннях імітансу, що перетворюється. Вперше отримано аналітичні залежності робочих параметрів польових структур Шоттки в областо потенційної нестійкості від частоти імітансів, що перетворюються, і визначені умови реалізації на їх основі високодобротних аналогів індуктивності і керуючих елементів. Одержала подальший розвиток теорія оцінки ефективності керуючих елементів на базі узагальнених перетворювачів імітансу, що використовують потенційно-нестійкі двозатворні польові структури Шоттки. Вперше досліджено імітансні параметри 18 чотириполюсників на базі двозатворних транзисторів Шоттки, що дозволили виявити їх властивості, як узагальнених перетворювачів імітансу і визначити умови потенційної нестійкості. Розроблено і досліджено схему включення двозатворної потенційно-нестійкої структури Шоттки, що забезпечує реалізацію напівпровідникового еквівалента індуктивності у виглді напівпровідникової мікросхеми в широкому діапазоні частот. Вперше розроблено схеми комбінованих динамічних негатронів на базі ПТШ2. Розроблено і досліджено схеми активних однокристальних фільтрів, що здатні працювати на частотах у кілька десятків гігагерц. Досліджено імпедансні керуючі елементи на базі узагальнених перетворювачів імітансу на базі потенційно-нестійких структур Шоттки, що забезпечують у кілька разів більше значення коефіцієнта керування, у порівнянні з керуючими елементами на базі варикапів і р-і-n діодів.
Публікації автора:
Филинюк Н.А., Салех Журбан. Малосигнальные модели четырехполюсников на базе двухзатворного транзистора Шоттки // Вісник Хмельницького національного університету. – 2005. – №4. – Ч.1, Том 2. –С. 112-115.
Филинюк Н.А., Журбан Салех М. М., Куземко А.М. Анализ предельной частоты транзисторного динамического негатрона // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 2004. – №2. – С. 57-61.
Філинюк М.А., Огородник К.В., Салех М.М. Журбан. Оцінка методичних похибок вимірювання W-параметрів чотириполюсника //Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 2004. – №2. – С. 35-41
N. Filinyuk, A. Kuzemko, M. M. Salesh Jourban. Development microwave active devices based on optically-controlled impedance element // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2005. – №2 (10).- С.87-90.
Филинюк Н.А., Салех Журбан М.М., Куземко А.М. Обобщенная математическая модель ПТШ2 при включении его по схеме (31В)// Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2006. – №1(11) . – С. 102-106.
Филинюк Н.А., Куземко А.М., Салех М М Журбан. Управляющие элементы на транзисторах Шоттки // Вісник Хмельницького національного університету. –2006. –№5. – С. 233-238.
Филинюк Н.А., Куземко М.А., Салех М М Журбан, Лищинская Л.Б. Активные СВЧ фильтры на базе двухзатроных транзисторов Шоттки // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2006. - №3 – С. 43-53.
Филинюк Н.А., Куземко А.М., Салех М М Журбан. Полупроводниковые индуктивности для СВЧ диапазона // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. –2006. – №5. –C.9-13.
Филинюк Н.А., Огородник К.В., Журбан Салех М. М. Способ измерения нестандартных систем Z и S-параметров СВЧ-четырехполюсников// Материалы 15-й Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо-2005).– Украина, Севастополь. – 2005.– С. 739-740.
Филинюк Н.А., Журбан Салех М. М., Куземко А.М. Разработка активных СВЧ устройств на базе оптически-управляемого аналога катушки индуктивности //Труды третьей международной конференции «Photonics-ODS 2005» . –Винница. –2005. – С.116-117.
Філинюк М.А., Журбан Салех М. М., Куземко О.М. Активний дворезонаторний НВЧ фільтр підвищенної стабільності // Матеріали 1 міжнародної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування" (СПРТП-2005) . –Вінниця. –2005. –С. 178-179.
Салех М.М. Журбан Математическая модель негатрона на базе ПТШ2, включенного по схеме (З1, З2) // Труды пятой МНТК “МЭПП-2005”. –Баку-Сумгаит. –2005. – С.279-281.
Н.А. Филинюк, Салех Журбан, Швейкина С.Е, Огородник К.В., Булыга В.В. Полупроводниковые индуктивности // Труды шестой международной научно-практической конференции "Современные информационные и электронные технологи». – Одеса. – 2006. – C.155.
