Анотація до роботи:

Семененко М.О. Емісійні властивості кремнієвих та вуглецевих нанокомпозитних плівок. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. – Київ, 2008.

В дисертації представлено результати комплексного дослідження впливу умов отримання кремнієвих та вуглецевих нанокомпозитних плівок на їх електронні польові емісійні властивості. Вивчено плівки пористого кремнію, аморфні алмазоподібні вуглецеві плівки і плівки окису кремнію з різним індексом стехіометрії кисню. Як основні методи дослідження в роботі використані виміри вольт-амперних характеристик при електронній польовій емісії; виміри вольт-амперних характеристик МДН структур; атомно-силова мікроскопія; фотолюмінесцентна спектроскопія.

В дисертаційній роботі вперше була проаналізована методика формування шарів пористого кремнію гальванічною анодизацією для застосування, як польових емісійних катодів. Покриття пористого кремнію алмазоподібними вуглецевими плівками приводить до покращення електронної польової емісії.

Виявлено ефект покращення емісії з кремнієвих вістер, вкритих плівками SiO_x, отриманими PE CVD методом та методом термічного випаровування порошку кремнію у вакуумі. Ефект покращення порогового поля пояснюється в рамках моделі поділу енергетичного бар’єра.

Встановлено суттєве зростання ефективності емісії з вістер, вкритих нанокомпозитними плівками після передпробійної формовки. Цей ефект обумовлений формуванням у плівках провідних наноканалів. Запропоновано фізичний механізм покращення емісійних параметрів катодів, вкритих алмазоподібними вуглецевими та SiO_x плівками зі сформованими провідними каналами, який пояснює зменшення напруженості порогового електричного поля за рахунок збільшення коефіцієнта підсилення поля; підвищення густини струму емісії за рахунок зменшення роботи виходу; покращення стабільності роботи емісійних катодів за рахунок згладжування морфології поверхні. Була запропонована методика передпробійної формовки плівок.

Публікації автора:

1. Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Semenenko M.O., Karpyna V.A., Lashkarev G.V., Lazorenko V.I., Khranovskyy V.D., Kopylova L.I., Okun I.Yu., Piryatinskyy Yu.P. Peculiarities of electron field emission from ZnO nanocrystals and nanostructured films // Superlattices and Microstructures. – 2007. – Vol. 42. –
   Р. 451–460.

2. А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т.40, вып. 2. – С. 180-184.

3. Evtukh A.A., Litovchenko V.G., and Semenenko M.O. Electrical and emission properties of nanocomposite SiO_x(Si) and SiO₂(Si) films // J. Vac. Sci. Technol. B 24(2) Mar/Apr. – 2006. – Р. 945-949.

4. Evtukh A., Litovchenko V., Semenenko M., Yilmazoglu O., Mutamba K., Hartnagel H.L., Pavlidis D. Formation of conducting nanochannels in diamond-like carbon films // Semicond.Sci.Technol. – 2006. – Vol. 21. – P. 1326-1330.

5. Євтух А.А., Клюй М.І., Литовченко В.Г., Семененко М.О., Неселевська Л.В., Осовський В.Д. Емісійні властивості розвиненої кремнієвої поверхні покритої алмазоподібною плівкою // Нові технології, Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. – №2(12). – C. 11-14.

6. Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Klyui N.I., Semenenko M.O., Kaganovich E.B., Manoilov E.G. Electron field emission from porous silicon prepared at low anodisation currents // Int. J. Nanotechnology. – 2006. – Vol. 3,
   No. 1. – P. 282-299.

7. Евтух А.А., Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Семененко Н.А., Неселевская Л.В. Улучшение эмиссионных свойств пористого кремния при покрытии тонкой алмазоподобной углеродной пленкой // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2005. – Вып. 40 – С. 81-88.

8. Evtukh A.A., Hartnagel H., Litovchenko V.G., Semenenko M.O., Yilmazoglu O. Enhancement of electron field emission stability by nitrogen-doped diamond-like carbon film coating // Semicond. Sci. Technol. – 2004. – Vol. 19. –
   P. 923-929.

9. Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Semenenko M.O. Electrical and emission properties of nano-composite SiO_x and SiO₂(Si) films // Technical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference, 10-14 July 2005. – Copyright and Reprint Permission, 2005. – P. 377.

10. Євтух А.А., Литовченко В.Г., Семененко М.О. Наноелектронна технологія виготовлення емітерів “пористий кремній/кремній» // Труды Пятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии СИЭТ-2004». – Одесса: Нептун-Технология, 2004. – C. 254.