Анотація до роботи:

Ільчук Г.А. Фізичні основи процесів росту з парової фази монокристалів і епітаксійних шарів А^IIB^VI та структури на їх основі. - Рукопис .

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.01 - фізика приладів, елементів і систем. - Національний університет “Львівська політехніка”. Львів, 2002.

Дисертація присвячена розробці фізичних основ процесів росту з парової фази в замкненому об’ємі монокристалів сполук групи А^IIВ^VI (CdTe, ZnTe, HgTe, ZnSe, їх твердих розчинів Cd_xHg_1-xTe, Zn_xCd_1-xTe) і шарів Cd_xHg_1-xTe з використанням переносників NH₄X(Cl,Br,I), комплексному дослідженню їх електрофізичних і оптоелектронних властивостей, розробці різних типів бар’єрних структур (бар’єрів Шотткі, гетеропереходів оксид/напівпровідник, гетероконтакту CdTе/білок) на їх основі та методів контролю параметрів матеріалів і технологій для вирішення традиційних і нових задач електроніки. З використанням термодинамічних і кінетичних концепцій фізико-хімічних процесів розвинуті узагальнені математичні моделі опису складу парової фази та процесу масоперенесення, які враховують нестехіометричну природу А^IIВ^VI. Встановлені границі температурно-концентраційних областей: 1)гомогенного дифузійного росту, 2)порушення гомогенності пересиченням по телуру. Отримані з математичного моделювання складу ПФ і масоперенесення сполук А^IIB^VI результати дозволили поглибити і розширити фізичні основи методу ХТР. Досліджено структурні, електрофізичні, оптоелектронні властивості, вирощених монокристалів CdTe, ZnTe, бар’єрів Шотткі на їх основі, шарів твердих розчинів Cd_xHg_1-xTe. Вперше застосовано ядерно-фізичну методику аналізу гамма-спектрів випромінювання наведеної радіоактивності ядер Сd і Te для визначення їх вмісту в матриці CdTe. Основні результати роботи можуть знайти застосування в електронному матеріалознавстві та при виготовленні приладів на основі сполук групи A^IIВ^VI: широкосмугових фотоаналізаторів лінійно-поляризованого випромінювання (ЛПВ) (110⁵В/Втград), фоточутливих структур оксид/p-CdTe, оксид/n-ZnSe, фотодетекторів короткохвильової області (w 2,5 еВ).

1. Вперше розроблено узагальнену математичну модель та створено алгоритм опису складу ПФ систем Me(Cd,Zn,Hg)Te-NH₄X(X=Cl,Br,I) на випадок вирощування методом ХТР бінарних напівпровідників групи А^IIВ^VI (CdTe, ZnTe, HgTe) та враховано в ній відхилення від стехіометрії, що дозволяє описати і на основі цього встановити межі температурно-концентраційних областей гомогенного росту монокристалів цих сполук.

Показано, що:

основну роль в парофазному переносі телуридів кадмію та цинку в усіх досліджуваних системах Me(Cd,Zn)Te-NH₄X відіграють компоненти парової фази HX, H₂, N_{2 ,}Te₂, NH₃, MeX₂, а в хлоридній системі, за значень тисків і температур із області гомогенного росту, - ще і метали (Cd або Zn, відповідно);

механізми масоперенесення CdTe і ZnTe при використанні в процесі парофазного транспорту переносників NH₄X залежать, серед іншого, і від виду галогена (Cl, Br чи I), що входить в його склад. Зокрема, в бромідній і йодидній системах в описуваній температурно-концентраційній області тисків 110³110⁵ Па та температур 7001100 К (для CdTe), 9001300 К (для ZnTe) масоперенесення CdTe, ZnTe зумовлене хімічним транспортом; в хлоридній системі в області тисків (1,0 1,5)10⁵ Па та температур 9001100К, (для CdTe) і 11001300 К (для ZnTe) домінуючим механізмом є сублімація і дифузія через ПФ;

область температур і тисків, в яких в масоперенесенні CdTe і ZnTe домінує хімічний транспорт, в хлоридній системі Me(Cd,Zn)Te-NH₄Cl значно вужча, ніж в системах Me(Cd,Zn)Te-NH₄Br та Me(Cd,Zn)Te -NH₄I;

порівняльний аналіз складу ПФ систем HgTe-NH₄X в інтервалі температур 550800 К і надлишкових тисків Dp=10³10⁵ Па з урахуванням відхилення від стехіометрії HgTe, та його співставлення з результатами розрахунків, проведеними для границь області гомогенності HgTe, показали, що склад і домінуюча роль компонент ПФ, що відповідають за масоперенесення, не змінюється при такій видозміні задачі. Цими компонентами в усіх системах є Hg та Te₂, а в йодидній до них додається ще й HgI₂;

врахування в термодинамічній моделі систем HgTe-NH₄X різних ступенів відхилення від стехіометрії HgTe не призводить до зміни в механізмах масоперенесення HgTe: в хлоридній і бромідній ним є сублімація та дифузія через ПФ, а в йодидній – переважаючий хімічний транспорт.

2. Аналіз на основі результатів розрахунків математичної моделі рівноважних складу ПФ систем Zn_xCd_1-xTe-NH₄X, Cd_xHg_1-xTe-NH₄X для різних тисків Hg над гомогенним твердим розчином дозволив:

• виключити із розгляду такі умови, де в процесі росту можлива конденсація ZnX₂, CdX₂;

• вибрати для різних систем області оптимальних температурно-концентраційних режимів гомогенного росту монокристалів твердих розчинів Zn_xCd_1-xTe та CdxHg_1-xTe;

• встановити, що області оптимальних концентраційних режимів при заміні типу галогена в переноснику від I до Br і до Cl мають тенденцію розширення, але при збільшенні Р_Hg в системі – звуження;

• вміст телуриду цинку (x_ZnTe) в твердому розчині Zn_xCd_1-xTe зростає із збільшенням його вмісту в джерелі, при збільшенні концентрації переносника NH₄X та зростанні атомного номера галогена в переноснику. При збільшенні температури та фіксації названих параметрів вміст x_ZnTe в твердому розчині зменшується;

• в системах з регульованим тиском ртуті Cd_xHg_1-xTe-Hg-NH₄X при вирощуванні твердого розчину Cd_xHg_1-xTe спостерігаються аналогічні закономірності, а саме, при збільшенні тиску ртуті в системі вміст телуриду кадмію x_CdTe зменшується, при інших рівних умовах;

• вирощування твердого розчину в системах Cd_xHg_1-xTe-Hg-NH₄X, на противагу до систем Cd_xHg_1-xTe-NH₄X, де тиск ртуті не регулюється, забезпечує суттєве зменшення концентрації вакансій ртуті у вирощених монокристалах і плівках.

3. Методом вторинної іонної масспектрометрії продуктів розпилення пучком іонів аргону (Е=510 кеВ) епітаксійних шарів Cd_0,2Hg_0,8Te, вирощених з використанням переносників NH₄Br і NH₄I, виявлено в їх складі іони NH₄ та сліди галогенів Br і I. Концентрації інших домішок в епітаксійних шарах залежала від типу переносника.

4. Обґрунтована можливість застосування гамма-спектрів наведеної радіоактивності монокристалів CdTe (шляхом співставлення інтенсивностей його характеристичних ліній) для контролю стехіометричності матриці його кристалічної гратки. Показано, що в ролі аналітичних ліній гамма-спектру CdTe для ідентифікації Cd можна використовувати лінію 492 кеВ ізотопу Cd–115, або ж лінію 336 кеВ ізотопу In-115m. Аналіз співвідношення інтенсивностей ліній дозволяє зробити висновок про стехіометрію складу вирощених монокристалів телуриду кадмію.

5. Технологічні умови, із визначеної на основі розрахунку моделі ПФ температурно-концентраційної області гомогенного росту телуридів кадмію і цинку, забезпечують високу ступінь компенсації вирощуваних напівізольованих монокристалів CdTe, ZnTe та забезпечують однорідність їх легування галогеном незалежно від його типу.

6. Методами фотолюмiнесцентної спектроскопії в режимі імпульсного лазерного збудження (Т=80К), монокристалів CdTe, ZnTe, вирощених методом ХТР в температурно-концентраційних умовах із області гомогенності, виявлено канали донорно-акцепторної рекомбінації та вільного екситона. Наявність екситонного механізму вказує на високу якість вирощених монокристалів, можливість їх застосування для виготовлення електронних приладів та демонструє можливість використання розвинутого математичного опису складу парової фази і масоперенесення для прогнозованого вибору оптимальних умов росту.

7. Заміна виду переносника, при вирощуванні методом ХТР телуриду цинку, дозволяє одержувати монокристали ZnTe як n- так і p-типів провідності та забезпечити цілеспрямоване керування їх електричними і оптичними властивостями.

8. Вперше досліджено ФВ-ефект під дією неполяризованого і лінійно-поляризованого випромінювань в різнотипних структурах з БШ In-ZnTе, In-p-CdTe, Cu/n-ZnSe, сформованих на вирощених методом ХТР або сублімації монокристалах CdTe, ZnTe і n-ZnSe та ПБС p/n-ZnSe, p-Ox/n-ZnSe , Ox/n-CdTe, Ox/p-CdTe, створених термічною обробкою. Показано, що в усіх структурах реалізується наведений фотоплеохроїзм, який контролюється кутом падіння ЛПВ і зберігається сталим в усій області їх високої фоточутливості. БШ In-ZnTe та In-p-CdTe можуть знайти застосування як широкосмугові фотосенсори ЛПВ із азимутальною фоточутливістю Ф_в^m@110⁵ В/Втград.

9. Термообробка (Т@770 К) монокристалів n-ZnSe, вирощених методом сублімації, в сухому повітряному середовищі призводить до репродуктивного утворення однорідно забарвлених шарів p-типу провідності товщиною ~1 мкм (t_T 200 хв.) та створення фоточутливих структур, а їх термообробка у вакуумі аж до самих великих значень t_T - до конверсії типу провідності пр в приповерхневій області пластин, яка зумовлюється додатковим відхиленням від стехіометрії в результаті дифузійного виходу переважно атомів Zn і, отже, виникнення акцепторних центрів V_zn. Створені термообробкою на n-ZnSe структури відкривають можливості їх застосування в фотодетекторах ультрафіолетового випромінювання і допускають стрибкоподібний перехід від поляризаційно-нечутливого до поляметричного режиму фотореєстрації з плавним регулюванням коефіцієнта фотоплеохроїзму за допомогою кута падіння ЛПВ.

10. Обґрунтовано застосування методу поляризаційної спектроскопії структур Ox/p-CdTe Ox/n-ZnSe для діагностики стану реальної поверхні CdTe та ZnSe і контролю її реконструкції внаслідок окислення в результаті взаємодії з навколишнім середовищем.

11. Релазацією ГК CdTe/білок та проведеним його дослідженням закладені фізичні основи нового напрямку функціональної мікроелектроніки на основі напівпровідникових сполук А^IIB^VI, які забезпечують можливість створення фотосенсорів нового покоління з чутливістю ~10⁴В/Вт та розробити принципово нові методи досліджень взаємодії електромагнітних випромінювань та корпускулярних іонізуючих потоків з біологічними об’єктами.

Публікації автора:

1. Ilchuk G.A., Ukrainets V.O., Danylov A., Masluk V., Pargal I., Yaskov O. Study of CdTe and ZnTe single-crystal growth from vapour phase and investigation of the grown crystals//J.Cryst.Growth.-2002.-Vol.242.- № 1-2.- P.41-44.

2. Ільчук Г.А., Українець В.О. Фотоперетворення в структурах на основі телуриду кадмію, вирощеного методом хімічних транспортних реакції //Фотолектроника. - Одесcа: Астропринт. -2002.- Вып.11.- С.15-17.

3. Ильчук Г.А., Ахроменко Ю.Г., Сенишин А.Т. Массоперенос теллурида ртути в системе HgTe-NH₄Cl. // Неорган. материалы.- 2001.- Т.37, № 2.- С.189-192.

4. Ilchuk G.A. Model of quasi-equilibrium mass transfer of cadmium telluride sublimated in closed volume // Semicond. Sci. and Technol. -2000.- Vol.15.- P.1141-1143.

5. Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Иванов-Омский В.И., Украинец Н.А. Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe // Физика и техника полупроводников.- 2000.- Т.34. № 7.- С.809-813.

6. Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Иванов-Омский В.И, Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел-CdTe // Физика и техника полупроводников. -2000.-Т.34, № 9.- С.1099-1102.

7. Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Получение и оптоэлектронные явления в монокристаллах ZnTe и барьерных структурах на их основе//Физика и техника полупроводников.- 2000.- Т.34, № 11.- С.1327-1332.

8. Ilchuk G.A. Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics .- 2000.- Vol. 3, № 3.- P. 349-351.

9. Ukrainets V.O., Peleshchak R.M., Ilchuk G.A., Ukrainets N.A., Lukiyanets B.A. Influence of surface deformation upon the properties of Cu-contacts on CdTe single crystals // Materials Science and Engineering. –2000.-Vol. B.71.-№ 1-3. Р.306-308.

10. Ильчук Г.А. Массоперенос теллурида цинка в системе ZnTe-NH₄I//Неорган. материалы. - 2000. -Т. 36, №7. - С. 805-809.

11. Украинец В.О., Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Рудь Ю.В., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe // Письма в ЖТФ.-1999.- Т.25, Вып.16, С.23-28.

12. Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Иванов-Омский В.И., Рудь Ю.В., Рудь В.Ю. Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т.33. - № 5.- С.553-559.

13. Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В., Шаталова В.В. Фотопреобразование в гетероконтактах CdTe и его аналогов с белком //Физика и техника полупроводников.- 1999.-Т.33, № 10.- С.1201-1204.

14. Ильчук Г.А. Состав газовой фазы в системе ZnTe-NH₄I//Неорган. материалы. - 1999. -Т. 35, №7. - С. 812-817.

15. Ільчук Г.А. Рівноважний склад газової фази в системі HgTe - NH₄I // Вісник Державного університету "Львівська політехніка" №362: Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. -Львів: ДУ "Львівська політехніка". -1999. -С.3-9.

16. Ільчук Г.А., Українець Н.А., Дацко Б.Й., Лопатинський І.Є., Українець В.О. Рівноважний склад газової фази в системі ZnTe-NH₄Br // Вісник Державного університету “Львівська політехніка” №325: Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. - Львів: ДУ “Львівська політехніка”. - 1998.-С.70-76.

17. Ільчук Г.А. Масоперенесення телуриду цинку в системі ZnTe-NH₄Br // Вісник ДУ "Львівська політехніка" №325: Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. - Львів: ДУ “Львівська політехніка”. - 1998.-С.64-70.

18. Ільчук Г.А., Андрейко А.М., Віблий І.Ф., Лобойко В.І. Дослідження процесів вирощування епітаксійних шарів Mn_xHg_1-xTe//Вісник Державного університету "Львівська політехніка" №332: Хімія, технологія речовин та їх застосування. –Львів: ДУ “Львівська політехніка -1997. -С.150-152.

19. Ильчук Г.А., Украинец Н.А. Влияние способа обработки поверхности мононокристаллического теллурида кадмия на свойства контакта Cu-p-CdTe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.-1997.-№10.-С.96-98.

20. Украинец В.Е., Ильчук Г.А. К контролю монокристалличности поверхности подложек дырочного теллурида кадмия//Поверхность. Физика, химия, механика.-1993.-№4.-С.45-48.

21. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Лопатинский И.Е., Жежнич И.Д. Массоперенос твердого раствора в системе Cd_xHg_1-xTe-NH₄Br // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1991. -Т.27, №9. -С.1807-1813.

22. Ахроменко Ю.Г., Віблий И.В., Ільчук Г.А., Павлишин С.П. Визначення бінарних коефіцієнтів дифузії для закритих систем HgTe-NH₄(Cl,Br,I) // Вісник Львів. політехн. ін-ту, №245: Теорія і проектування напівпровідникових та радіоелектронних пристроїв. -Львів: Світ. -1991. -С.34-36.

23. Akhromenko Yu.G., Ilchuk G.A., Nabitovich I.D., Pavlishin S.P., Viblyi I.F. Influence of mass transfer velocity on layer parameters in Cd_xHg_1-xTe - NH₄Cl(Br,I) systems // Crystal Properties and Preparation. -1991. -Vol. 32-34. -P. 319-321.

24. Akhromenko Yu.G., DronIuk M.I., Ilchuk G.A., Pavlishin S.P. The epitaxial layer growth investigation in Cd_xHg_1-xTe - NH₄Cl(Br,I) systems // Crystal Properties and Preparation. -1991. -Vol. 32-34. -P. 298-300.

25. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Лопатинский И.Е., Украинец В.Е. Состав газовой фазы в системе Cd_xHg_1-xTe-NH₄Cl // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1990. -Т.26, №4. -С.739-743.

26. Ахроменко Ю.Г., Горшков А.В., Дронюк М.И., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Шевелев Г.А. Исследование состава примесей в эпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe выращенных методом химических транспортных реакций // Физическая электроника. - Львов: Вища школа. -1990. -Вып.41. -С.134-137.

27. Виблый И.В., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Исследование морфологии, структуры и микротвердости монокристаллов Mn_xHg_1-xTe выращенные методом химических транспортных реакций // Вестник Львов. политехн. ин-та №245: Теория и проектирование полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа. -1990. -С.128-130.

28. Виблый И.В., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И., Петрова Т.С. Исследование морфологии, структуры и микротвердости монокристаллов Pb_1-xSn_xTe выращенные методом химических транспортных реакций// Физическая электроника. -Львов: Вища школа. -1989. -Вып.39. -С.12-17.

29. Набитович И.Д., Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Березина В.А. Равновесный состав газовой фазы в системе ZnTe - NH₄Cl //Физическая электроника. -Львов: Вища школа. -1989. -Вып. 38. -С.12-17.

30. Виблый И.В., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Исследование морфологии кристаллов теллурида олова, выращенных методом химических транспортных реакций (ХТР) // Вестник Львов. политехн. ин-та №236: Теория и проектирование полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа. -1989. -С.135-137.

31. Ахроменко Ю.Г., Берченко Н.Н., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Костиков Ю.П., Кузьмина Е.Г. Исследование состояния поверхности эпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe выращенных методом ХТР, с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Физическая электроника. -Львов: Вища школа. -1988. -Вып. 37. -С.38-41.

32. Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Эпитаксиальные слои теллурида марганца-ртути, выращенные методом химических транспортных реакций. // Вестник Львов. политехн. ин-та №226: Теория и проектирование полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа. -1988. -С.121-122.

33. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Эпитаксиальные слои Pb_1-xSn_xTe выращенные методом химических транспортных реакций // Вестник Львов. политехн. ин-та №215: Теория и проектирование полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа. -1987. -С.122-123.

34. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И., Горбова О.И. Состав газовой фазы в системе Cd_xHg_1-xTe - NH₄I // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1987. -Т.23, № 5. -С.762-767.

35. Иванов-Омский В.И., Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Красноженов Е.П. Массоперенос HgTe в системах HgTe - NH₄Br(I) // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1987. -Т.23, №9. -С.1457-1462.

36. Курило И.В., Павлишин С.П, Бекеша С.Н., Ильчук Г.А., Ахроменко Ю.Г. Формы роста кристаллов Cd_xHg_1-xTe, полученных методом химических транспортных реакций // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1987. -Т.23, №2. -С.228-232.

37. Набитович И.Д., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Состав газовой фазы системы PbTe-NH₄Br // Изв. вузов СССР. Химия и химическая технология. -1986. -Т.29. –Вып. 10. -С.24-26.

38. Иванов-Омский В.И., Ахроменко Ю.Г., Виблий И.Ф., Ильчук Г.А., Павлишин С.П. Изучение массопереноса в системах Cd_xHg_1-xTe - N-H-Br(I). -Электронная техника. Сер.: Материалы. -М.:ЦНИИ "Электроника". -1986. -Вып. 2(213). -С.64-65.

39. Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Температурная зависимость теплоемкости галогенидов свинца и олова // Вестник Львов. политехн. ин-та №206: Теория и проектирование полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа. -1986. -С.65-67.

40. Ахроменко Ю.Г., Виблый И.Ф., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Состав газовой фазы в системе HgTe-NH₄Cl // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1986. -Т.22. -№11. -С.1816 -1821.

41. Ахроменко Ю.Г. Белашов Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Состав газовой фазы в системе PbTe - NH₄Cl // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1986. -Т.22, №8. -С.1275-1279.

42. Ахроменко Ю.Г., Василина Б.С., Ильчук Г.А., Павлишин С.П. Получение и исследование монокристаллов теллурида кадмия в системах CdTe-NH₄(Br,I) // Вестник Львов. политехн. ин-та №196: Теория и проектирование полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа. -1985. -С.9-11.

43. Ахроменко Ю.Г., Бекеша С.Н., Ильчук Г.А., Курило И.В., Павлишин С.П. Формы роста кристаллов CdTe выращенных методом химических транспортных реакций // Физическая электроника. -Львов: Вища школа. -1984. -Вып.29. -С.51-57.

44. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Курило И.В., Павлишин С.П., Прямухин В.Е. Состав газовой фазы в системе CdTe-NH₄Cl // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1984. -Т.20, №9. -С.1494 - 1497.

45. Васюк Н.Н., Дружинин А.А, Ильчук Г.А., Луцив Р.В., Павлишин С.П. Исследование коэффициента Холла и электропроводности тонких слоев (CdHg)Te подвергнутых лазерному облучению // Укр. физ. журнал. -1983. -Т.28, №8. - С.1218-1222.

46. Дружинин А.А., Васюк Н.Н., Ильчук Г.А., Павлишин С.П. Исследование влияния облучения лазера с допороговыми энергиями на свойства тонких слоев (CdHg)Te // Вестник Львов. политех. ин-та №176: Расчет и проектирование автоматизированных информационных систем, полупроводниковых и радиоэлектронных устройств. -Львов: Вища школа -1983. -С.54-57.

47. Ахроменко Ю.Г., Бекеша С.Н., Ильчук Г.А., Курило И.В., Павлишин С.П. Формы роста кристаллов ZnTe, полученных методом химических транспортных реакций // Изв. АН СССР Неорган. материалы.-1983.-Т.19, № 8. -С.1286-1290.

48. Набитович И.Д., Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П. Массоперенос CdTe в системе Cd:Te:N:H:I // Ж. физ. химии -1983. -Т.57, - Вып.6. - С. 1356-1360.

49. Набитович И.Д., Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П. Массоперенос теллурида кадмия в системе CdTe-NH₄Br // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1982. -Т.18, №2. -С.211-215.

50. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П., Петренко С.И. Состав газовой фазы в системе Сd-Te-N-H-I // Изв. АН СССР Неорган. материалы.-1982.-Т.18, №7.- С.1117 – 1122.

51. Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Курило И.В., Турко Х.А., Хацко М.П. Анализ диффузионного массопереноса в системе CdTe-H₂ // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1981. -Т.17, №8. - С.1357-1361.

52. Курило И.В., Бартошинский В.З., Ильчук Г.А., Турко Х.А., Хацко М.П. Исследование морфологии, структуры и микротвердости кристаллов PbSe // Изв. АН СССР Неорган. материалы. -1980. -Т.16, №7. - С.1186-1190.

53. Набитович И.Д., Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П. Определение бинарных коэффициентов диффузии для системы Zn:Te:N:H:(Cl,Br,I); Cd:Te:N:H:(Cl,Br,I) // Физическая электроника. -Львов: Вища школа. -1980. -Вып.21. -С.70-74.

54. Дронюк М.І., Ільчук Г.А., Митрофанов А.О., Павлишин С.П. Дослідження масопереносу в системі Hg:Te:N:H:Br // Вісник Львів. політехн. ін-ту № 110: Електронна техніка і прилади. -Львів: Вища школа. –1977.- С.20-23.

55. Дронюк М.И., Ильчук Г.А., Курило И.В., Митрофанов А.А., Павлишин С.П. Исследование морфологии, структуры и микротвердости монокристаллов HgTe//Физическая электроника.-Львов: Вища школа.-1976.-Вып.12.- С.48-53.

56. Патент, МПК⁵G01N27/22 Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на дірковому телуриді кадмію / Українець Н.А., Ільчук Г.А., Українець В.О. - №97105198; Заявл. 24.10.97; Опубл.30.10.98.