Анотація до роботи:

СТРЕБЕЖЕВ В.М. “Фоточутливі елементи і тонкоплівкові інтерференційні фільтри на базі CdSb та In₄Se₃” . – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем. – Національна академія наук України та Міністерство освіти і науки України, Інститут термоелектрики. Чернівці, 2002.

Дисертація присвячена виготовленню та дослідженню фоточутливих елементів на основі різним чином легованих тонких плівок і шарів СdSb і In₄Se₃, а також інтерференційних тонкоплівкових багатошарових оптичних ІЧ-фільтрів на підкладках з цих матеріалів. Розроблена методика отримання стехіометричних плівок СdSb напиленням із сконструйованих капілярних випаровувачів. Досліджені закономірності розподілу плівки по товщині для джерела – капілярної трубки, вивчена структура, склад і електрофізичні властивості отриманих тонких плівок СdSb. Методом рідинної епітаксії вирощені гомоепітаксійні шари СdSb, In₄Se₃ і гетероструктури Cd_xZn_1-xSb - СdSb и In₄Se₃ – In₄Тe₃. Визначені умови керування ростом і легуванням шарів СdSb при переважанні дифузійного механізму масопереносу в розчині-розплаві. Досліджені структура і фотоелектричні властивості отриманих гомо- і гетеропереходів, фоточутливих в ближній ІЧ-області. Проведені розрахунки і оптимізація тонкоплівкових багатошарових інтерференційних фільтрів для нанесення на СdSb і In₄Se₃. Отримані одно- і двоканальні інтерференційно-абсорбційні фільтри на цих матеріалах, досліджені їх оптичні характеристики і механічна стабільність в інтервалі температур 77 – 373 К.

Публікації автора:

1. Гертович Т.С., Грицюк Б.Н., Стребежев В.Н., Товстюк К.Д. Свойства p-n переходов в CdSb, полученных методом жидкостной эпитаксии // УФЖ. – 1982. – Т.27, №10. – С.1583-1584.

2. Грицюк Б.Н., Золотухина В.В., Раренко И.М., Стребежев В.Н. Электрофизические свойства тонких пленок CdSb и ZnSb, полученных тер-мическим испарением // Физическая электроника. – 1989. – В.39. – С.19-21.

3. Грицюк Б.Н., Стребежев В.Н. Испаритель для получения пленок разлагающихся соединений // ПТЭ. – 1997. – № 5. – С.157-158.

4. Волянська Т.А., Мошкова Т.С., Огородник А.Д., Раренко І.М., Стребежев В.М. Особливості фотоелектричних властивостей анізотропних кристалів радіаційно-стійкої групи In₄(Se₃)_1-xTe_3x, пов’язані з умовами вирощування і структурою // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. – 1998.– В.30. – С.200-205.

5. Грицюк Б.М., Мошкова Т.С., Стребежев В.М. Плівкове просвітлююче покриття на монокристалах In₄Se₃ // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. – 1998. – В. 40. – С.27-29.

6. Грицюк Б.Н., Стребежев В.Н. Капиллярный испаритель для получения пленок сложных веществ // Вопросы атомной науки и техники. – Харьков: ВАНТ, ННЦ ХФТИ. – 1998. – В.6(7). – С.207-208.

7. Dremluzhenko S.G., Konopaltseva L.I., Kulikovskaya S.M., Stetsko Yu.P., Strebezhev V.N., Rarenko A.I., Ostapov S.E. Interference IR-filters on the CdSb Mnocrystal Substrates // Proc.of SPIE. – 1999. – Vol. 3890. – P.104-110.

8. Волянська Т.А., Грицюк Б.М., Мошкова Т.С., Раренко І.М., Стребежев В.М., Паламар Т.В. Фотоелектричні властивості епітаксійних гомо- і гетероструктур на основі In₄(Se₃)_1-хTe_3x // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. – 2000. – В.79. – С.19-21.

9. Стребежев В.М., Раренко І.М., Куликовська С.М., Дремлюженко С.Г. Вплив умов отримання на стабільність багатошарових інтерференційних покриттів на базі CdSb // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. – 2000. – В. 79. – С.22-24.

10. Грицюк Б.Н., Ляхов А.А., Мельничук С.В. Стребежев В.Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений с применением капиллярных испарителей // ЖТФ. – 2001. – Т. 71, В.9. – С. 54-57.

11. Балазюк В.Н., Гертович Т.С., Стребежев В.Н. Свойства гомо- и гетероструктур на основе слоев CdSb и Zn_xCd_1-xSb // Материалы VII Всесоюзного координационного совещания по полупроводниковым соединениям группы А²В⁵. – Воронеж. – 1987. – С.103.

12. Волянская Т.А., Грицюк Б.Н., Мошкова Т.С., Раренко И.М., Стребежев В.Н. Получение тонких пленок на основе CdSb, их оптические, фотоэлектрические и термоэлектрические свойства // Матеріали доповідей V-ї Української конференції “Фізика і технологія тонких плівок складних напівпровідників”. – Ужгород. – 1992. – С.79-81.

13. Раренко И.М., Крылюк О.Н., Раренко А.И., Куликовская С.М., Стребе-жев В.Н., Дремлюженко С.Г., Кшевецкий С.А. Влияние обработки поверхности на фоточувствительность CdSb и p-n структур на его основе. // Матеріали IV Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок. – Івано-Франківськ. – 1993. – Ч.II. – С.335.

14. Rarenko I.M., Strebezhev V.N., Kulikovskaya S.M., Dremluzhenko S.G., Krylyuk O.N., Martynyuk B.A. Pecularities of CdSb Application as Infrared Filters // International Conference "Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics". – Uzhgorod. – 1996. – Р. 34.

15. Dremluzhenko S.G., Konopaltseva L.I., Stetsko Yu.P., Strebezhev V.N., Rarenko A.I. Interference Cutoff and Band IR-Filters on the Monocrystal CdSb Substrates // IV International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics. – Kyiv.–1998. – P.40.

16. Mashkova T.S., Rarenko I.M., Strebezhev V.N., Voleanska T.A. Photosensitive Epitaxial Homo- and Heterostructures on the Basis of In₄(Se₃)_1-xTe_3x // Third International School-Conference “Physical Problems in Material Science of Semiconductors”. – Chernivtsi, 1999. – P.256.