Фотолюмінесценція у видимій області спектра плівок нанокристалічного кремнію, одержаних імпульсним лазерним осадженням

Для получения информации по диссертации оформите заявку

*Фамилия:
*Имя Отчество:
*email:
Телефон:
*Страна:
* - Поля обязательные для заполнения

Анотація до роботи:

Манойлов Э.Г. Фотолюмінесценція у видимій області спектра плівок нанокристалічного кремнію, одержаних імпульсним лазерним осадженням. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2005.

Дисертація присвячена встановленню природи фотолюмінесценції (ФЛ) у видимій області спектра при кімнатній температурі плівок нанокристалічного кремнію (nc-Sі), одержаних імпульсним лазерним осадженням (ІЛО). Досліджено умови та розроблено способи формування з прямого та зворотного, високо- та низькоенергетичного потоків частинок ерозійного факелу nc-Si плівок з видимою ФЛ. Встановлено взаємозв'язки між спектрами ФЛ з часовим розділенням, структурними властивостями, спектрами електронних станів плівок. З'ясована структурна модель фотолюмінесцентних плівок, одержаних ІЛО, що являє собою нанокомпозитну двофазну систему: квантово-розмірні Si нанокристали (НК) в SiO_x (x 2) матриці. Показано, що природа видимої ФЛ цих плівок визначається ефектами розмірного квантування та діелектричного підсилення. Механізм випромінювання – анігіляція екситонів в Si НК. Інтенсивність ФЛ, її спектр та часи релаксації визначаються не тільки параметрами випромінюючого каналу рекомбінації, а і в значній мірі ступенем пригнічення безвипромінювального каналу рекомбінації шляхом насичення обірваних зв'язків кремнію. Встановлено механізм підвищення фотолюмінесцентних властивостей плівок при легуванні золотом. Сформовано гетеропереходи нано-/монокристалічний кремній з фоточутливими та електролюмінесцентними властивостями. Запропоновано технологію формування емітерів електронів холодних катодів на основі наноструктурованого кремнію.

Публікації автора:

Фотолюминесценция Si композитных пленок / С.В.Свечников, Э.Б.Каганович, Э.Г.Манойлов, С.П.Дикий, Л.Л.Федоренко // Материалы VI Международного симпозиума “Тонкие пленки в электронике”, том 1. – Киев: Наук. думка. – 1995. – С. 117 – 119.

Оптические свойства пленок, полученных лазерным распылением кремния / Э.Г.Манойлов, И.З.Индутный, А.И.Стецун, Э.Б.Каганович, С.В.Свечников // Тезисы I Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (“Кремний-96”). – Москва, 1996. – С. 140.

Оптичнi властивостi композицiйних плiвок Si, одеpжаних лазеpним напиленням / I.З.Iндутний, Е.Б.Каганович, Е.Г.Манойлов, С.В.Свєчнiков, А.I.Стецун // УФЖ. – 1997. – 42, № 1. – С. 85 – 87.

Silicon composite structures for holographic recording / E.B.Kaganovich, E.G.Manoilov, S.V.Svechnikov, E.N.Sal’kova, A.V.Savchuk, T.A.Sergan, M.S.Soskin // Sci. Appl. Photo. – 1997. – 39, № 2. – P. 195 – 199.

Прояв локальних електронних станів у ВАХ кремнієвих нанокомпозитних плівок / Е.Б.Каганович, Е.Г.Манойлов, С.В.Свєчніков, В.С.Двірняк // УФЖ. – 1998. – 43, № 5. – C. 614 – 616.

Э.Г.Манойлов Гистерезис вольт-амперных характеристик кремниевых нанокомпозитных пленок // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1998. – Вып. 33. – С. 142 – 146.

Silicon based multilayer structures prepared by reactive pulsed laser deposition / R.Ciach, J.Morgiel, W.Maziarz, E.G.Manoilov, E.B.Kaganovich, S.V.Svechnikov, E.M.Sheregii // Thin Sol. Films. – 1998. – 318. – P. 154 – 157.

E.B.Kaganovich, E.G.Manoilov, S.V.Svechnikov Photoelectric study on porous silicon // Theses of the International workshop “Physics and technology of nanostructured multicomponent materials”. – Uzhgorod, Ukraine, 1998. – P. 42.

Optical properties of Si nanocomposite films prepared by laser ablation / E.B.Kaganovich, A.A.Kudryavtsev, E.G.Manoilov, S.V.Svechnikov, I.Z.Indutnyi // Thin Sol. Films. – 1999. – 349. – P. 298 – 302.

Э.Б.Каганович, Э.Г.Манойлов, С.В.Свечников Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП. – 1999. – 33, Вып. 3. – С. 327 – 331.

Electron field emission from laser produced silicon tip arrays / A.A.Evtukh, E.B.Kaganovich, V.G.Litovchenko, Yu.M.Litvin, D.V.Fedin, E.G.Manoilov, S.V.Svechnikov // Materials of 12^th International vacuum microelectronics conference. – Darmstadt, Germany, 1999. – P. 388 – 389.

Влияние примеси золота на фотоэлектронные свойства структур нанокристаллический кремний/кремний / С.И.Кириллова, В.Е.Примаченко, Э.Г.Манойлов, И.Р.Базылюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2002. – Вып. 37. – С. 169 – 176.

A.V.Sachenko, E.B.Kaganovich, E.G.Manoilov Exciton recombination mechanism in light emitting nanocrystalline silicon // Reviews and short notes to NANOMEETING-2001. – Minsk, Belarus, 2001. – P. 172 – 175.

Кинетика экситонной фотолюминесценции в низкоразмерных структурах кремния / А.В.Саченко, Э.Б.Каганович, Э.Г.Манойлов, С.В.Свечников // ФТП. – 2001. – т. 35, № 12. – С. 1383 – 1389.

Э.Б.Каганович, Э.Г.Манойлов, С.В.Свечников Роль кисню у випромінювальній рекомбінації нанокристалічного кремнію // УФЖ. – 2001. – т. 46, № 11. – С. 1196 – 1201.

Silicon tip arrays with nanocomposite film for electron field emission applications / A.A. Evtukh, E.B. Kaganovich, V.G. Litovchenko, Yu.M. Litvin, D.V. Fedin, E.G. Manoilov, S.V. Svechnikov // Materials Science and Engineering C. – 2002. – 19. – P. 401 – 405.

Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния / Э.Б.Каганович, Э.Г.Манойлов, И.Р.Базылюк, С.В.Свечников // ФТП. – 2003. – т. 37, вып. 3. – С. 353 – 357.

Manoilov E.G. Regularities of visible photoluminescence creation in low-dimentional silicon structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – 6, № 3. – P. 303 – 306.

Механизмы формирования фотолюминесцентных свойств кремниевых квантовых точек / Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, И.М. Кизяк, С.В. Свечников // Тезисы IV Международного украинско-русского семинара «Нанофизика и наноэлектроника». – Киев, 2003. – НПЦ «Наука». – С. 20.

Manoilov E.G., Kizyak I.M. Porous films of nanocrystalline silicon for sensors // Theses of the Fourth international young scientists conference «Problems of optics and high technology material science SPO 2003». – Kyiv, 2003. – P. 42.

A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures / A.V. Sachenko, Yu.V.Kryuchenko, E.G. Manoilov, E.B. Kaganovich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – 6, № 4. – P. 487 – 491.

Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением / В.Я. Братусь, С.М. Окулов, Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, Э.Г. Манойлов // ФТП. – 2004. – т. 38, вып. 5. – С. 621 – 625.

Структура фотолюмінесцентних плівок нанокристалічного кремнію, одержаних методом імпульсного лазерного осадження / П.М. Литвин, О.С. Литвин, І.В. Прокопенко, Е.Б. Каганович, І.М. Кізяк, Е.Г. Манойлов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2004. – т. 1, № 2. – С. 601 – 610.

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия фотолюминесцентных нанокомпозитных пленок Si/SiO_x (1 < x 2) / А.П. Шпак,А.И. Сенкевич,В.Б. Заболотный,Э.Б. Каганович,Э.Г. Манойлов,И.М. Кизяк // Тези Міжнародної конференції “Нанорозмірні системи: електронна, атомна будова і властивості”. – Київ, 2004. – С. 388.