Матушко Ігор Павлович. Каталітичне окиснення водню та карбон монооксиду на напівпровідникових матеріалах на основі SnO2, модифікованих добавками оксидів перехідних металів, та чутливість відповідних сенсорів : Дис... канд. наук: 02.00.04 - 2008.
Анотація до роботи:
Матушко І.П.Каталітичне окиснення водню та карбон монооксиду на напівпровідникових матеріалах на основі SnO2, модифікованих добавками оксидів перехідних металів, та чутливість відповідних сенсорів. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.04 – фізична хімія. – Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Київ, 2008.
Дисертація присвячена встановленню взаємозв’язку між каталітичною активністю сенсорних матеріалів з нанесеними 3d-металами (Co, Ni, Fe, Cu) різної концентрації в реакціях окиснення водню і карбон монооксиду та чутливістю відповідних сенсорів. Вивчено кінетику та механізм реакцій окиснення Н2 та СО на сенсорних матеріалах, запропоновано кінетичні рівняння, які описують всю сукупність отриманих експериментальних даних. Досліджено чутливість сенсорів на основі SnO2 з різною концентрацією добавок 3d-металів до Н2 та СО. Визначено оптимальний склад сенсорів, який забезпечує максимальну їх чутливість до Н2 та СО. Встановлено механізм чутливості сенсорів з урахуванням каталітичних властивостей відповідних сенсорних матеріалів в реакціях окиснення СО та Н2. Показано, що енергія зв’язку «оксиген – поверхня» грає вирішальну роль у формуванні максимальної чутливості сенсорів до Н2 та СО. Запропоновано активні каталізатори окиснення Н2 та СО та бездрагметальні сенсори для вимірювання концентрації Н2 та СО у повітрі, які знайшли практичне впровадження при створенні адсорбційно-нарівпровідникового хроматографічного детектора та у приладі для вимірювання водню у повітрі.
Встановлений у роботі зв’язок чутливості сенсорів з перебігом реакцій окиснення на його поверхні може бути використаним для створення нових сенсорів із спрямованою чутливістю та селективністю до певних газів.
Запропоновані нетрадиційні гетерогенні каталізатори на основі SnO2 з добавками 3d-металів (Co, Ni, Fe, Cu) та досліджено їх каталітичні властивості в реакціях окиснення Н2 та СО. Показано, що каталітична активність зразків проходить через максимум при підвищенні вмісту кожної з добавок.
Методом РФЕС показано, що ступінь окиснення стануму в сформованих зразках дорівнює (4+). Ступінь окиснення стибію при прожарюванні зразка змінюється з (3+) на (5+). Перехідні метали мають максимальну позитивну ступінь окиснення.
Дослідженням кінетики реакцій окиснення Н2 та СО на сенсорних матеріалах з добавками 3d-металів встановлено перший порядок реакції за Н2 та СО та нульовий за киснем. Показано, що реакції окиснення Н2 чи СО перебігають за ударним механізмом через взаємодію відповідної газової молекули з міцно хемосорбованим оксигеном.
Показано, що чутливість сенсорів до СО або Н2 проходить через максимум зі збільшенням вмісту кожного з 3d-металів у складі чутливого шару сенсора. Ці максимуми відповідають таким складам сенсорних матеріалів, для яких спостерігаються максимуми каталітичної активності в реакціях окиснення Н2 та СО.
Показано, що ряди каталітичних активностей сенсорних матеріалів з добавками оксидів Co, Ni, Fe в реакціях окиснення Н2 та СО співпадають з рядами чутливості сенсорів до Н2 та СО, відповідно, і співпадають з відомими з літератури рядами каталітичної активності оксидів перехідних металів в реакціях окиснення Н2 та СО, що вказує на вирішальну роль енергії зв’язку «оксиген – каталізатор» в механізмі окиснення газу та чутливості сенсорів. Винятком є сенсорні матеріали з добавками купруму, для яких висока каталітична активність не співпадає з низькою сенсорною активністю, що має причиною підвищення загальної електричної провідності зразків з добавками Cu за рахунок заміщення купрумом стануму у вузлах кристалічних граток SnO2.
Створено бездрагметальний сенсор водню, який за чутливістю та стабільністю роботи не поступається сенсору з добавками паладію. Показано перспективу використання розробленого сенсора в автоматизованому приладі для аналізу водню в повітрі.
Публікації автора:
Адсорбційно-напівпровідниковий сенсор на основі SnO2 з домішками Pd для селективного визначення Н2 у повітрі. / І. П. Матушко, Н. П. Максимович, А. В. Яцимирський [та ін.] // Український хімічний журнал. — 2007. — Т. 73. — № 9. — С. 49—53. (Особистий внесок автора: дослідження чутливості та швидкодії сенсорів до водню, хроматографічний аналіз водню).
Прибор на основе адсорбционно-полупроводникового сенсора для измерения концентрации водорода в воздухе. Ж. / И. П. Матушко, Н. П. Максимович, А. В. Яцимирский [та ін.] // Заводская лаборатория. — 2007. — Т. 73. — № 10. — С. 22—25. (Особистий внесок автора: створення сенсора для приладу).
Дослідження стабільності довготривалої роботи адсорбційно-напівпровідникових сенсорів водню. / І. П. Матушко, Н. П. Максимович, А. В. Яцимирський [та ін.] // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія хімічна. — 2007. — № 45. — С. 8—10. (Особистий внесок автора: вимірювання електричного опору сенсорів в аналізованому газі, обробка отриманих результатів).
Адсорбційні властивості промотованих 3d-металами сенсорних матеріалів на основі SnO2. / І. П. Матушко, О. В. Іщенко, А. В. Яцимирський [та ін.] // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія хімічна. — 2008. — № 46. — С. 21—22. (Особистий внесок автора: синтез сенсорних матеріалів, дослідження їх каталітичної активності в реакціях окиснення водню та СО).
Чувствительность к водороду и каталитические свойства в реакции окисления водорода промотированных 3d-металлами сенсорных материалов на основе SnO2 / И. П. Матушко, В. К. Яцимирский, Н. П. Максимович [та ін.] // Теоретическая и экспериментальная химия. — 2008. — Т. 44. — № 2. — С. 121—125. (Особистий внесок автора: синтез сенсорних матеріалів, дослідження чутливості сенсорів до водню, вивчення кінетики перебігу реакції окиснення водню на сенсорних матеріалах з добавками 3d-металів).
Каталитические свойства промотированных 3d-металлами сенсорных материалов на основе SnO2 в реакции окисления монооксида углерода / И. П. Матушко, В. К. Яцимирский, Н. П. Максимович [та ін.] // Український хімічний журнал. — 2008. — Т. 74, — № 7. — С. 22—26. (Особистий внесок автора: синтез сенсорних матеріалів, вивчення кінетики перебігу реакції окиснення карбон монооксиду на сенсорних матеріалах з добавками 3d-металів).
Матушко І. П. Дослідження можливості створення детектора органічних та неорганічних газів на базі напівпровідникового сенсора / І. П. Матушко, Н. П. Максимович // Сучасні проблеми хімії : 4-а Всеукр. конф. студентів та аспірантів, 21—22 травня 2003 р. : зб. тез доп. — К. : ВПЦ КНУ, 2003. — С. 171—172.
Матушко І. П. Високочутливий та селективний аналіз Н2 та СН4 за допомогою адсорбційно-напівпровідникового сенсора / І. П. Матушко// Сучасні проблеми хімії : 5-а Всеукр. конф. студентів та аспірантів, 20–21 травня 2004 р. : зб. тез доп. — К.: ВПЦ КНУ, 2004. — С. 107.
Матушко І. П. Адсорбційно-напівпровідниковий сенсор Н2 на основі SnO2 / І. П. Матушко, Н. П. Максимович // Сучасні проблеми хімії : 6-а Всеукр. конф. студентів та аспірантів, 17—18 травня 2005 р. : зб. тез доп. — К. : ВПЦ КНУ, 2005. — С. 129.
Матушко И. П. Исследования по созданию бездрагметалльных сенсоров водорода / И. П. Матушко, В. К. Яцимирский, Н. П. Максимович [та ін.] // Современная химическая физика : ХVII Симпозиум, 18—29 сентября 2005 г. : тезисы докладов. — Туапсе, 2005. — С. 111—112.
Matushko I. P. Development of the adsorption semiconductor sensor based on SnO2 with additions of Pd to operate it as a chromatographic detector / I. P. Matushko, A. V. Yatsimirsky, N. V. Nikitina [та ін.] // Theoretical and Experimental Studies of Interfacial Phenomena and their Technological Application : 10th Ukrainian-Polish Symposium, September 26—30, 2006. : proceedings. — Lviv, Ukraine, 2006. — С. 242—245.
Matushko I. P. Adsorption semiconductor sensors to analyse H2 based on SnO2 with additives of Co- or Fe-oxides / I. P. Matushko, N. P. Maksymovych, N. V. Nikitina [та ін.] // ISIC-11 : 11th International Seminar on Inclusion Compounds, June 10—15, 2007. : book of abstracts. — Kyiv, Ukraine, 2007. — Р. 144.
Matushko I. Adsorption semiconductor sensors to analyse H2 in air / I. Matushko, N. Maksymovych, N. Nikitina [та ін.] // 4th International Chemistry Conference. 6—8 juin 2007. : book of abstracts. — Universite Paul Sabatier, Toulouse, 2007. — Р. 18.
Matushko I. Study of influence of additions of Co, Ni, Fe or Cu on sensititivity of adsorption semiconductor sensors towards H2 / I. Matushko, N. Maksymovych, A. Yatsimirsky [та ін.] / Modern Physical Chemistry for Advanced Materials (MPC’07) : International Conference, June 26—30, 2007. : book of abstracts. — Kharkiv, Ukraine, 2007. — Р. 368—370.
Матушко И. П. Бездрагметальные адсорбционно-полупроводниковые сенсоры на основе SnO2 с добавками оксидов Со и Ni. / И. П. Матушко, Н. П. Максимович, Н. В. Никитина [та ін.] / Сучасні проблеми фізичної хімії : ІІІ Міжнар. конф., 26—30 червня 2007 р. : зб. тез доп. — Донецьк. — 2007. — C. 65—66.