Анотація до роботи:

Писклинець У.М. Механізми дефектоутворення і термодинамічний n-p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 – хімія твердого тіла. Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 2005.

В роботі досліджено і проаналізовано вплив домішок та умов відпалу на електричні властивості та конверсію типу провідності бездомішкових і легованих аурумом, індієм, талієм, германієм і хлором кристалах кадмій телуриду. Розроблено моделі квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у легованому матеріалі і на їх основі встановлено домінуючі точкові дефекти. З цією метою запропоновано використовувати інтегральні, парціальні і відносні коефіцієнти компенсації.

Розроблені в дисертації моделі дефектоутворення дають змогу прогнозувати електричні властивості матеріалу не тільки при високотемпературній рівновазі дефектів, але також визначати концентрації спектра дефектів та холлівської концентрації носіїв заряду у кристалах, відпалених при високих температурах і охолоджених до кімнатної.

Визначено технологічні умови формування CdTe і CdTe:Au (In, Tl, Ge, Cl) n- і р-типу провідності. Побудовано просторові діаграми “n_x-P_Cd-T” (холлівська концентрація – парціальний тиск пари кадмію – температура відпалу), що визначають умови вирощування монокристалів з наперед заданими параметрами. Одержано рівняння для визначення парціального тиску пари кадмію , що відповідає термодинамічному n-p-переходу, для чистого і легованого телуриду кадмію. Розраховано залежність від температури відпалу та вмісту домішки.

Уточнено константи рівноваги та ентальпії утворення дефектів.

Публікації автора:

Статті

1. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М., Горічок І.В. Термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію, легованих індієм // Вісник Прикарпатського університету. Математика. Фізика. – Івано-Франківськ: Плай, 2001. – Вип. 2 – С. 86 – 92.

Фреїк Д.М., д.х.н. Сформулював завдання та вибрав об’єкти досліджень.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Брав участь в обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Визначила умови формування матеріалу n- і р-типу провідності, провела розрахунок рівноважної концентрації точкових дефектів.

Горічок І.В., аспірант. Брав участь у розрахунках.

2. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. Термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т. 3, № 1. – С. 58 – 61.

Фреїк Д.М., д.х.н. Приймав участь у постановці задачі дослідження і обговоренні результатів.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Брав участь в обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Здійснила комп’ютерний розрахунок залежностей концентрації вільних носіїв заряду і точкових дефектів від парціального тиску пари кадмію та температури відпалу.

3. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. Вплив технологічних факторів і легуючої домішки індію на дефектну підсистему і тип провідності у кристалах телуриду кадмію // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т. 3, № 3. – С. 526 – 530.

Фреїк Д.М., д.х.н. Вибрав об’єкти дослідження та зробив аналіз результатів.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Сформулював завдання дослідження і приймав участь в обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Провела комплекс експериментальних досліджень і розрахунки дефектної підсистеми матеріалу, встановила переважаючі точкові дефекти.

4. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. Термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію, легованого хлором // Фізика і хімія твердого тіла. –2002. – Т. 3, № 4. – С. 642 – 646.

Фреїк Д.М., д.х.н. Зробив постановку задачі дослідження і брав участь у обговоренні одержаних результатів.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Участь у обговоренні одержаних результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Здійснила вимірювання електричних параметрів досліджуваного матеріалу, запропонувала квазіхімічні реакції і зробила попередній аналіз отриманих результатів.

5. Фреїк Д.М., Дмитрів А.М., Лісняк С.С., Писклинець У.М. Кристалоквазіхімія дефектів у телуриді кадмію із структурою сфалериту і в’юрциту // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4, № 2. – С. 317 – 322.

Фреїк Д.М., д.х.н. Вибрав об’єкти досліджень.

Дмитрів А.М., аспірант. Запропонувала кристалоквазіхімічні рівняння легування Кадмій телуриду хлором.

Лісняк С.С., д.х.н. Приймав участь у обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Запропонувала квазіхімічні реакції дефектоутворення, на основі яких встановлено умови формування матеріалу n- і р-типу провідності.

6. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. Атомні дефекти та їх компенсація у чистому і легованому телуриді кадмію // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4, № 3. – С. 547 – 555.

Фреїк Д.М., д.х.н. Сформулював завдання дослідження.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Брав участь у обговоренні результатів і розрахунку концентрацій точкових дефектів.

Писклинець У.М., дисертант. Провела двотемпературний відпал матеріалу у парі кадмію, розробила моделі точкових дефектів, здійснила розрахунок концентрацій точкових дефектів.

7. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М., Белей М.І. Донорна і акцепторна дія талію у кристалах CdTe:Tl // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 1. – С. 65 – 69.

Фреїк Д.М., д.х.н. Вибрав об’єкти досліджень.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Приймав участь у обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Виконала технологічні експерименти і розрахувала залежність концентрації точкових дефектів та умови реалізації термодинамічного n–p–переходу.

Белей М.І., к.ф.-м.н. Приймав участь у обговоренні результатів та вимірюваннях електричних параметрів.

8. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. Моделі атомних дефектів і термодинамічний n-p-перехід у легованих золотом кристалах телуриду кадмію CdTe:Au // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 2. – С. 338 – 344.

Фреїк Д.М., д.х.н. Вибрав об’єкти досліджень, брав участь в обговоренні результатів.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Сформулював завдання дослідження та приймав участь в обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Виконала технологічну частину, провела вимірювання властивостей та одержала аналітичні вирази для визначення концентрації спектра дефектів та холлівської концентрації носіїв заряду у кристалах відпалених при високих температурах і охолоджених до кімнатної.

9. Писклинець У.М. Атомні дефекти у кристалах CdTe:Ge // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 3. – С. 514 – 519.

10. Фреик Д.М., Писклинец У.М., Межиловская Л.И. Модели атомных дефектов в кристаллах CdTe, легированных хлором и отожженных в парах кадмия // Неорганические материалы. – 2005. – Т. 41, №6. – С. 652 – 658.

Фреїк Д.М., д.х.н. Зробив постановку задачі дослідження і брав участь у обговоренні одержаних результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Здійснила експерименти і розрахувала значення парціального тиску пари кадмію, що відповідає термодинамічним n-p-переходам, константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення, запропонувала ансамбль переважаючих точкових дефектів.

Межиловська Л.Й., к.ф.-м.н. Приймала участь у обговоренні результатів.

11. Писклинець У.М. Іонізовані та електронейтральні дефекти у кристалах CdTe // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т. 6, № 2. – С. 275 – 279.

Патенти

12. Пат. № 61300А Україна, С 30В11/02. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності: Пат. № 61300А Україна, С 30В11/02 / Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. (Україна); Прикарпатський університет. – № 20021210603; Заявл. 26.12.02; Опубл. 17.11.03; Бюл. № 11, 2003.

Фреїк Д.М., д.х.н. Брав участь у постановці задачі дослідження і обговоренні результатів.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Приймав участь у обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Провела технологічні дослідження вимірювання електричних характеристик матеріалу.

13. Пат. № 61299А Україна, С 30В11/02. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і p-типу провідності: Пат. № 61299А Україна, С 30В11/02 / Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. (Україна); Прикарпатський університет. – № 20021210602; Заявл. 26.12.02; Опубл. 17.11.03; Бюл. № 11, 2003.

Фреїк Д.М., д.х.н. Вибрав об’єкти досліджень, зробив постановку задач.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Приймав участь у обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Провела двотемпературний відпал.

14. Пат. № 65337А Україна, С 30В31/00, 33/00. Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності: Пат. № 65337А Україна, С 30В31/00, 33/00 / Писклинець У.М. (Україна); Прикарпатський університет. – № 2003076603; Заявл. 15.07.03; Опубл. 15.03.04; Бюл. № 3, 2004.

15. Пат. № 65336А Україна, С 30В31/00, 33/02. Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl p-типу провідності: Пат. № 65336А Україна, С 30В31/00, 33/02 / Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М. (Україна); Прикарпатський університет. – № 2003076602; Заявл. 15.07.03; Опубл. 15.03.04; Бюл. № 3, 2004.

Фреїк Д.М., д.х.н. Вибрав об’єкти досліджень.

Прокопів В.В., к.ф.-м.н. Приймав участь у обговоренні результатів.

Писклинець У.М., дисертант. Провела двотемпературний відпал.

Матеріали конференцій

16. Прокопів В.В., Межиловська Л.Й., Писклинець У.М., Горічок І.В. Термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію // Тези доповідей 1-ої Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-1 (з міжнародною участю). – Одеса (Україна). – 2002. – Т. 2. – С. 313 – 314.

17. Писклинець У., Горічок І. Термодинамічний p-n-перехід у чистому і легованому індієм телуриді кадмію // Збірник тез Всеукраїнської конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “Еврика-2002”. – Львів (Україна). – 2002. – С. 87 – 88.

18. Фреик Д.М., Прокопив В.В., Писклинец У.М. Квазихимия дефектов и термодинамический n-p-переход в кристаллах теллурида кадмия // Материалы Международной конференции по физике электронных материалов. – Калуга (Россия). – 2002. – С. 200.

19. Писклинець Уляна, Дмитрів Анжела, Михайльонка Тетяна, Бабущак Галина. Квазіхімія дефектів і термодинамічний n-p-перехід у телуриді кадмію, легованого індієм і хлором // Збірник тез Всеукраїнської конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “Еврика-2003”. – Львів (Україна). – 2003. – С. 140.

20. Писклинець У.М. Квазіхімія дефектів і термодинамічний n-p-перехід у легованих кристалах телуриду кадмію // Матеріали IX Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок. – Івано-Франківськ (Україна). – 2003. – Т. 1. – С. 225 – 226.

21. Прокопів В.В., Фочук П.М., Писклинець У.М., Дмитрів А.М. Процеси дефектоутворення у кристалах телуриду кадмію при гетеровалентному легуванні // Тези доповідей 2-гої Української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) „УНКФН-2”. – Чернівці (Україна). – 2004. – Т. 2. – С. 328 – 329.

22. Писклинець У.М., Прокопів В.В. Квазіхімічний опис дефектоутворення у кристалах CdTe:Au // Тези доповідей XVI Української конференції з неорганічної хімії за участю закордонних учених. – Ужгород (Україна). – 2004. – С. 198.

23. Фреик Д.М., Фочук П.М., Писклинец У.М., Прокопив В.В. Донорное и акцепторное действие таллия в кристаллах CdTe:Tl // Материалы ІІ Всероссийской конференции „Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах “Фагран-2004”. – Воронеж (Россия). – 2004. – Т. 2. – С. 489 – 490.

24. Прокопів В.В., Межиловська Л.Й., Писклинець У.М. Точкові дефекти монокристалів CdTe:Au при кімнатних температурах // Тези доповідей Відкритої науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету „Львівська політехніка” з проблем електроніки. – Львів (Україна). – 2005. – С. 31.

25. Писклинець У.М. Дефектна підсистема у легованих германієм кристалах CdТе // Матеріали ІІ Міжнародної науково-технічної конференції студентів, аспірантів та молодих вчених, присвячена 75-річчю УДХТУ „Хімія і сучасні технології”. – Дніпропетровськ (Україна). – 2005. – С. 233.

26. Писклинець У.М. Виділення фаз компонентів і термодинамічний n-р-перехід у чистому і легованому телуриді кадмію // Матеріали Ювілейної X Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок. – Івано-Франківськ (Україна). – 2005. – Т. 1. – С. 264 – 265.

27. Межиловская Л., Жуковски П., Дмитрив А., Писклинец У., Борык В. Физико-химические свойства и модели атомных дефектов в легированных кристаллах теллуридов кадмия и ртути // IV International Conference “New electrical and electronic technologies and their industrial implementation”. – Zakopane (Poland). – 2005. – P. 55 – 58.