Анотація до роботи:

Корначевський Я. І. Моделі МОН-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.13.12 – Системи автоматизації проектувальних робіт. – Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”. – Київ, 2004.

Дисертація присвячена створенню ефективних шляхів для вбудовування моделей в програмні комплекси схемотехнічних САПР на прикладі моделі субмікронного рівня BSIM3. Приділено увагу структурі моделі МОН-транзистора, ефектам, які впливають на точність розрахунку параметрів моделі транзистора субмікронних розмірів, послідовності вбудовування моделі в САПР схемотехнічного проектування, перевірці на правильність отриманої моделі за допомогою порівняльного моделювання. В роботі запропоновано підбір режиму точності через спрощення розрахункових виразів в залежності від класу задачі (тип схеми, розрахунку, технології та топологічних розмірів), встановлено методику врахування ємностей в прямому та інверсному режимах, уточнено співвідношення для ємностей в прямому та інверсному режимах, встановлено, що на швидкість збіжності обчислень не впливає друга похідна заряду на вузлах транзистора по вузловій напрузі.

Порівняльне моделювання показало, що створена за результатами дисертаційної роботи надійна модифікація моделі BSIM3 не лише правильно моделює субмікронний МОН-транзистор, але й перевищує за ефективністю модель, яка використовується в пакеті схемотехнічного проектування SPICE.