Анотація до роботи:

ТИМОФЄЄВ В.І. Моделювання субмікронних компонентів інтегральних схем на сполуках A^IIIB^V. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.27.01 – твердотільна електроніка. – Національний технічний університет України „Київський політехнічний інститут”. – м. Київ, 2004.

Запропоновані нові науково обґрунтовані математичні моделі фізичних процесів і субмікронних ефектів у сучасних транзисторних структурах і інтегральних схемах міліметрового діапазону довжин хвиль, які забезпечують рішення важливої прикладної проблеми – розробку перспективних субмікронних транзисторів з бар'єром Шотткі, транзисторів з гетероселективним легуванням і гетеробіполярних транзисторів із заданими параметрами і характеристиками, компонентів і інтегральних пристроїв на їх основі й удосконалювання технології виготовлення.

Проведені комплексні дослідження фізичних ефектів і процесів у субмікронних інтегральних структурах на основі з'єднань A^IIIB^V для інтегральних схем із субмікронними розмірами областей активних компонентів і розроблено широкий спектр моделей приладів на основі напівпровідників A^IIIB^V і їх сполук, включаючи гетероструктури, з урахуванням субмікронних ефектів.

З єдиних позицій проаналізовані, узагальнені і сформульовані фізичні особливості й ефекти, властиві субмікронним структурам з розмірами, порівнянними з довжиною вільного пробігу електронів, обґрунтований і створений ієрархічний ряд математичних моделей різного рівня, визначені функціональні особливості субмікронних приладів і умови застосовності їх моделей до завдань адаптивного проектування.

У дисертаційній роботі запропоновані нові науково обґрунтовані математичні моделі, проведені комплексні дослідження фізичних механізмів і процесів у субмікронних інтегральних структурах на основі напівпровідникових сполук A^IIIB^V для інтегральних схем із субмікронними розмірами областей активних компонентів і розроблено широкий ряд моделей приладів, включаючи гетероструктури, з урахуванням субмікронних ефектів, що забезпечує розв’язання значної науково-прикладної проблеми в галузі технічних наук – розробки перспективних субмікронних транзисторів з бар'єром Шотткі, транзисторів з гетероселективним легуванням і гетеробіполярних транзисторів із заданими параметрами і характеристиками, інтегральних пристроїв на їх основі і удосконалення технології виготовлення.

Розв’язання даної проблеми забезпечується системними підходами до моделювання субмікронних багатошарових польових структур на основі напівпровідникових сполук A^IIIB^V, розробкою способів і єдиних підходів до аналізу нестаціонарних процесів дрейфу носіїв заряду в сильному електричному полі на основі релаксаційних рівнянь, розробкою ряда моделей для аналізу субмікронних ефектів, опису фізичних процесів взаємодії хвиль міліметрового діапазону з потоками носіїв заряду в сильному електричному полі, створенням адаптивних процедур і алгоритмів аналізу пристроїв із субмікронними компонентами для моделювання їх частотних, часових і шумових характеристик.

1. Найбільш істотні теоретичні результати:

– уперше з єдиних позицій проаналізовані, узагальнені та сформульовані закономірності та особливості фізичних ефектів, властивих субмікронним структурам з розмірами, порівнянними з довжиною вільного пробігу електронів, обґрунтовано й створено ієрархічний ряд математичних моделей різного рівня, визначені функціональні особливості субмікронних приладів і умови застосовності їх моделей до завдань адаптивного проектування;

– проаналізовано швидкісні властивості транзисторних структур і виявлено вплив субмікронних ефектів шляхом доповнення системи фундаментальних рівнянь переносу носіїв заряду в багатодолинних напівпровідниках обґрунтованою системою двовимірних релаксаційних рівнянь збереження імпульсу, енергії і часток для аналізу нестаціонарного дрейфу з урахуванням різних видів розсіювання;

– створені математичні моделі, що описують граничні режими роботи транзисторів: субпороговий режим, режим відкритого каналу й інверсний режим; визначений вплив цих ефектів на функціонування приладів; визначені фактори, які визначають нелінійні властивості транзисторів у широкому діапазоні живлячих напруг і рівнів сигналу;

– установлені джерела шуму, запропоновані нові моделі і методика аналізу шумових характеристик, які відрізняються врахуванням процесів нестаціонарного переносу, впливу параметрів транзисторних структур і бар'єра на границі канал-підкладка і дана фізична інтерпретація експериментальних характеристик субмікронних польових транзисторів у малошумлячому режимі;

– виявлено новий принцип керування струмом субмікронного транзистора при напругах на затворі, близьких до відсічки, пов'язаний з надбар'єрною „емісією” електронів з витоку, розвинута та показана можливість керування струмом стоку не тільки внаслідок зміни товщини провідного каналу, але й за рахунок впливу стокової напруги на просторовий заряд у витоковій частині каналу, що актуально для приладів, які функціонують у режимі малого шуму, а також транзисторів з довжиною затвору біля 0,1 мкм;

– розвинута та вдосконалена методика двовимірного моделювання транзисторів з високою рухливістю електронів на основі релаксаційної системи рівнянь, що дозволяє описувати субмікронні ефекти: «сплеск» дрейфової швидкості, розігрів у сильному електричному полі, міждолинний перенос, шунтуючий вплив підкладки, квазібалістичний ефект;

– розроблені та проаналізовані двовимірні математичні моделі й алгоритми моделювання субмікронних гетеробіполярних транзисторів у дифузійно-дрейфовому наближенні для електронів і дірок, що включають рівняння для аналізу впливу сильного легування й розігрівних ефектів, визначені області з найбільшими градієнтами електричних полів і температур, що дозволяє виробити рекомендації для оптимізації параметрів транзисторних структур;

– фізично обґрунтована і розроблена методика врахування розмірних ефектів, включаючи вплив ефектів у третьому вимірі транзисторних структур, що визначає особливості функціонування активних і пасивних компонентів монолітних інтегральних схем КВЧ, зокрема, розподілених ефектів і впливу технологічних неоднорідностей, розроблені моделі і алгоритми для аналізу НВЧ і КВЧ компонентів і кіл, придатні для моделювання монолітних і об'ємних інтегральних схем;

– запропонована методика моделювання малошумлячих і широкосмугових субмікронних пристроїв на основі транзисторів на сполуках A^IIIB^V, ліній передачі на напівпровідниковій підкладці складної конфігурації. Отримано аналітичні вирази для аналізу характеристик надширокосмугових підсилювачів з розподіленим підсиленням з неоднорідними секціями, придатні для оптимізації параметрів підсилювачів.

2. Найбільш істотні практичні результати:

– запропоновано ієрархічний ряд математичних моделей, орієнтований на дослідження фізичних характеристик транзисторних структур і інженерні розрахунки в практиці проектування електронних компонентів;

– параметри структур і апроксимації, отримані на основі двовимірного моделювання, можуть використовуватися в пакетах схемотехнічного проектування субмікронних структур і оптимізації параметрів напівпровідникових структур і їх технології;

– на основі результатів аналізу субмікронних ефектів розроблені критерії оптимального вибору параметрів субмікронних транзисторів і мікроелектронних пристроїв за підсилювальними і шумовими параметрами з урахуванням граничних режимів роботи і нелінійних ефектів, що дозволяє оптимізувати їх характеристики на етапі проектування і виготовлення;

– розроблено математичні моделі субмікронних транзисторів – з бар'єром Шотткі, транзисторів з гетероселективним легуванням і гетеробіполярних транзисторов, придатні для використання в САПР пристроїв міліметрового діапазону;

– розроблені процедури й алгоритми аналізу й спроектовані малошумлячі і багатокаскадні підсилювачі на субмікронних ПТШ і гетеротранзисторах з довжиною затвору 0,2–0,4 мкм, що працюють у діапазоні частот 1–40 ГГц на зосереджених елементах і відрізках ліній передачі.

3. Проведено верифікацію розроблених моделей на широкому масиві експериментальних даних: статичних, малосигнальних, частотних підсилювальних і шумових характеристик. Вплив описаних у роботі фізичних ефектів підтверджено експериментальними даними.

За результатами проектування створені та впроваджені приймальні пристрої для авіаційних метеорологічних локаторів, систем супутникового дистанційного зондування земної атмосфери, прикладної радіоастрономії на радіотелескопі РАТАН-600.

Напрям подальших наукових досліджень і прикладних розробок та опис фізичних ефектів пов'язані із застосуванням нових матеріалів (наприклад, на основі нітридів елементів ІІІ групи) і характерними розмірами активних компонентів менш 0,1 мкм з урахуванням у транзисторних структурах при моделюванні специфічних фізичних механізмів і ефектів – квантово-розмірних ефектів, ефектів, пов'язаних з високими рівнями легування тонких шарів, нових фізичних процесів у тонкоплівкових багатошарових гетероструктурах та ін.

Публікації автора:

1. Тимофєєв В.І. Моделювання релаксаційних процесів розігріву електронного газу в субмікронних гетеротранзисторах // Наукові вісті НТУУ „КПІ”.–2004.–№5.–С.23–29.

2. Тимофеев В.И. Моделирование процессов токопереноса в субмикронных гетеробиполярных транзисторах // Электроника и связь.–2004.–№23.– С.57–60.

3. Тимофеев В.И. Анализ разогревных эффектов в субмикронных гетеробиполярных транзисторах // Вісник Черкаського державного технологічного университету. Сер. Радіотехніка і приладобудування.–2004.–№4.–С.72–78.

4. Тимофеев В.И. Двумерное численное моделирование субмикронных полевых структур // Электроника и связь».–2004.–№22.–С.137–140.

5. Москалюк В.А., Тимофеев В.И., Иващук А.В. Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.– 2003.–№3.–С. 61–64.

6. Тимофеев В.И. Методы численного моделирования субмикронных устройств во временной области // Электроника и связь.–2002.–№15.–С.46–48.

7. Тимофеев В.И. Шумовые свойства субмикронных гетеробиполярных транзисторов // Электроника и связь.–2002.–№16.–С.112–115.

8. Григорук А.А., Тимофеев В.И. Анализ моделей гетероструктурных полевых транзисторов для схемотехнического моделирования // Электроника и связь.–1996. –№1. – С. 45–54.

9. Тимофеев В.И., Фан Хонг Фыонг. Методика моделирования нелинейных режимов работы усилителей на субмикронных ПТШ // Изв. ВУЗов. Сер. Радиоэлектроника.– 1995.– №11.–С. 26–31.

10. Семеновская Е.В, Тимофеев В.И. Моделирование теплового режима в субмикронных транзисторах с гетероселективным легированием // Электроника и связь. –2001.–№13.– С.32–36.

11. Семеновская Е.В., Тимофеев В.И. СВЧ методы измерения температурных полей // Электроника и связь.–2000.– №8. –Т.2. – С. 236–265.

12. Григорук А.А., Тимофеев В.И. Анализ моделей гетероструктурных полевых транзисторов для схемотехнического моделирования // Электроника и связь.–1995.–№1.– С. 45–54.

13. Григорук А.А. Тимофеев В.И. Жестко-устойчивые численные методы для САПР микроэлектронных устройств СВЧ // Электроника и связь.– 1997. – №2. –С. 168–173.

14. Семеновская Е.В., Приходько Н.В., Тимофеев В.И. Физико-топологическое моделирование теплового режима мощного субмикронного полевого транзистора СВЧ // Электроника и связь.–2000. – № 9.– С. 140–142.

15. Семеновская Е.В., Тимофеев В.И., Приходько Н.В. Анализ моделей и тепловых режимов гетеробиполярных субмикронных транзисторов // Электроника и связь. – 2001. – № 10.– С. 133–136.

16. Григорук А.А., Тимофеев В.И. Верификация нелинейных моделей электронных цепей СВЧ на классе жестко-устойчивых численных методов // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника.–1998.– № 1.– С.41–51.

17. Амини М., Тимофеев В.И. Численное моделирование линий передачи на полупроводниковой подложке миллиметрового диапазона // Электроника и связь.– 2003–№20– С.153–156.

18. Григорук А.А., Тимофеев В.И., Фан Хонг Фыонг. Нелинейные модели гетеробиполярных транзисторов // Электроника и связь.–1997.–№3.–С.109–118.

19. Григорук Н.В., Приходько А.А., Тимофеев В.И. Анализ переходных процессов в арсенид-галлиевых структурах с распределенными параметрами // Электроника и связь".–1998.–№4.–С.359–361.

20. Іващук А.В., Тимофєєв В.І. Вплив морфології омічних контактів на надвисокочастотні параметри польових транзисторів // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.– 2000.–№35.–С.157–161.

21. Семеновская Е.В., Приходько Н.В., Тимофеев В.И. Моделирование объемно-интегральных активных полевых субмикронных структур // Электроника и связь.–2001.–№11.–С.134–136.

22. Тимофеев В.И., Фан Хонг Фыонг. Обобщенный анализ усилителей с распределенным усилением // Электроника и связь.–2002.–№17.–С.92–96.

23. Москалюк В.А., Тариелашвили Г.Т., Тимофеев В.И. Анализ разогревных процессов в мощных полевых транзисторах // Электроника и связь.– 1998.–№4.–С.562–564.

24. Григорук А.А., Тимофеев В.И.Масштабирование нелинейных моделей гетерополевых транзисторов // "Электроника и связь".–1998.– №5.–С.63–73.

25. Григорук А.А., Приходько Н.В., Тимофеев В.И. Сверхширокополосные преобразователи миллиметрового диапазона для систем оптоволоконной связи // Электроника и связь.– 1999.–№.6.–Т.2–С.256–264.

26. Іващук А.В., Матуленіс А., Тимофєєв В.І. Вплив морфології омічних контактів на шуми гарячих електронів в транзисторних структурах // Электроника и связь.– 1999.–№7.–С.96–99.

27. Приходько Н.В., Тимофеев В.И. Численный анализ полевых структур с распределенными параметрами во временной области // Электроника и связь.– 2000.–№8.–С.173–174.

28. Блудов А.В., Тимофеев В.И. Схемотехническое моделирование интегрально-волноводных детекторов на субмикронных диодах Шоттки // Электроника и связь.– 2003.–№18.–С.158–160.

29. Мохсен Амини, Тимофеев В.И. Моделирование монолитного усилителя миллиметрового диапазона // Электроника и связь.–2003.–№19.–С.155–157.

30. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Моделирование малошумящего режима субмикронного ПТШ // Изв. ВУЗов. Сер. Радиоэлектроника.–1993. – Т.36. –№3–4.–С.57–63.

31. Гусельников Н.А., Москалюк В.А., Тимофеев В.И. О создании системы моделирования твердотельных СВЧ-приборов // Автоматизация проектирования в электронике. Респ. межвед. сб., «Техника».– 1993. –№ 48.– С.15–21.

32. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Моделирование процессов переноса электронов в канале и подложке субмикронного полевого транзистора // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. –1990.–Вып. 2 (426).– С. 22–27.

33. Максименко А.Г., Москалюк В.А., Тимофеев В.И. О моделировании субпорогового режима ПТШ // Вестник КПИ, сер. Радиоэлектроника.– 1992.–N29. –С.15–18.

34. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Модель полевого транзистора с барьером Шоттки при открытом затворе // Вестник КПИ, сер. Радиоэлектроника.–1994.– №30.–С.7–10.

35. Тимофєєв В.І. Інформаційні технології в освіті і науці // Вісник Інституту економічного прогнозування НАН України.–2003.–С.55–58.

36. Тимофеев В.И. Идентификация параметров субмикронных ПТШ для сверхбыстродействующих интегральных схем // Труды Междунар. семинара "Теория идентификации нелинейных динамических объектов".– г. Торговиште (Болгария).–1990.–С.30–31.

37. Григорук А.А., Тимофеев В.И. Идентификация параметров модели субмикронного гетеротранзистора для САПР // Труды Междунар. конф. “Проблемы физической и биомедицинской электроники”.– Киев.– 1996. – С.253–257.

38. Григорук А.А., Тимофеев В.И. Анализ математических моделей субмикронных ИС СВЧ на основе GaAs // Труды III междунар. конф. ”Актуальные проблемы электронного приборостроения”. – Новосибирск. – 1996. – Т.6. – С. 23–26.

39. Тимофеев В.И., Григорук А.А., Фан Хонг Фыонг. Развитие численно-временного метода анализа нелинейных цепей для САПР субмикронных ИС СВЧ // Труды третьей международной научно-технической конференции ”Актуальные проблемы электронного приборостроения”. – Новосибирск. – 1996. – Т. 6. – С. 83–88.

40. Москалюк В.А., Минаков В.В., Тимофеев В.И. О роли подложки в субмикронных полевых транзисторах // Труды III Всесоюз. конф. "Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и приборах".–Вильнюс.–1989.–С.130–133.

41. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Моделирование субпорогового режима арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки // Труды II республиканского совещания "Численные методы и средства проектирования и испытания элементов твердотельной электроники".–Таллинн.–1989.–С.89–91.

42. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Особенности моделирования субмикронных арсенид-галлиевых полевых транзисторов для цифровых ИС // Труды II республиканского совещания "Численные методы и средства проектирования и испытания элементов твердотельной электроники".–Таллинн.–1989.–С.86–88.

43. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Особенности работы и моделирования субмикронных полевых транзисторов в малошумящем режиме // Труды междунар. семинара "Актуальные вопросы разработки и производства средств приема спутникового телевидения"–Севастополь.–1990.–С.18.

44. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Моделирование субмикронных арсенид-галлиевых полевых транзисторов для сверхскоростных интегральных схем // Труды I Всесоюз. конф. "Компьютерные методы исследования проблем теории и техники передачи дискретных сигналов по радиоканалам."–Москва.–"Радио и связь"–1990.–С.59–60.

45. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. О возможностях квазидвумерной модели для нелинейного моделирования субмикронных арсенид-галлиевых ПТШ // Труды XII Всесоюз. конф. твердотельной электронике СВЧ.–Киев.–1990.–С.18–19.

46. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Моделирование малошумящего режима субмикронного полевого транзистора // Труды XII Всесоюз. конф. твердотельной электронике СВЧ.–Киев.–1990.–С.63–64.

47. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Модели полевых транзисторов для сверхскоростных и сверхвысокочастотных интегральных схем // Труды Всесоюз. конф. "Математическое моделирование в энергетике"– Киев.–1990.–С.161–162.

48. Алесин А.М., Звершховский В.И., Король П.Ф., Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Особенности проектирования малошумящих усилителей СВЧ // Труды II Крымская конф. "СВЧ-техника и спутниковый прием".– Севастополь.–1992.–С.195–199.

49. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Модели субмикронных ПТШ для нелинейных устройств // Труды II Крымская конф. "СВЧ-техника и спутниковый прием".–Севастополь.–1992.–С.200–204.

50. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Моделирование предельных режимов работы субмикронных ПТШ // Труды респуб. конф. "Проблемы автоматизированного моделирования в электронике".–Киев.–1993.–С.44–45.

51. Алесин А.М., Звершховский В.И., Король П.Ф.,Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Особенности проектирования малошумящих усилителей КВЧ-диапазона // Труды Респуб. конф. "Проблемы автоматизированного моделирования в электронике".–Киев.–1993.–С.45–46.

52. Алесин А.М., Милованов К.В., Король П.Ф., Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Автоматизированное проектирование и экспериментальные исследования малошумящих усилителей миллиметрового диапазона // Труды Междунар. конф. "Проблемы автоматизированного моделирования в электронике."–Киев.–1994.–С.187–188.

53. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Физико-топологическое моделирование ПТШ для режима большого сигнала // Труды Междунар. конф. "Проблемы автоматизированного моделирования в электронике."–Киев.–1994.–С.195–199.

54. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Физико-топологические модели ПТШ для режима большого сигнала // Труды Всеросс. конф. с междун. участием "Разработка и применение САПР ВЧ и СВЧ электронной аппаратуры."– Владимир.–1994.–С.105–106.

55. Москалюк В.А., Тимофеев В.И. Особенности анализа и оптимизации параметров малошумящих устройств СВЧ диапазона // Труды Всеросс. конф. с междун. участием "Разработка и применение САПР ВЧ и СВЧ электронной аппаратуры."– Владимир.–1994.–С.107–108.

56. Poplavko Y.M., Sinecop Y.S., Moskalyuk V.A., Y.V.Prokopenko, Pereverseva L.P., Timofeyev V.I. Thermo-mechanically induced electric field in semi-insulating GaAs and other III-V crystals and application of this new effect.– Термо-механически индуцированное электрическое поле в GaAs и других кристаллах III-V группы и применение этого нового эффекта // Asia-Pacific Microwave Confe-Proceedigs,Tokyo,Japan.–1994.–Vol.3.–P.701–703.

57. Poplavko Y.M., Moskalyuk V.A., Prokopenko Y.V., Timofeyev V.I. Pyrotransistor-GaAs FET with “Pyroelectric-wafer”.– Пиротранзистор на основе GaAs FET c пирозатвором // Proc. of the Ninth International Symposium ISAF`94. IEEE Catalog Number 94CH3416-5.- P.698–700.

58. Алесин А.М., Тимофеев В.И. Особенности проектирования малошумящих широкополосных усилителей // Труды Междунар. конф. «Проблемы автоматизированного моделирования в электронике». –Киев.–1995.– С.252–253.

59. Prokopenko Y.V., Sinecop Y.S., Moskalyuk V.A., Pereverseva L.P., Poplavko Y.M., Timofeyev V.I. Uncooling GaAs "Pyroelectric" Sensor.– Неохлаждаемый GaAs электрический сенсор // Proc. 7-th International Symposium on Integrated Ferro electrics.– Colorado Springs.–USA –1995.–P.117.

60. Григорук А.А., Фан Хонг Фыонг, Тимофеев В.И. Аппроксимация параметров схемной модели гетероструктурного транзистора для нелинейного анализа // Труды Междунар.конф. "Проблемы физической и биомедицинской электроники"–Киев.–1996.–С.258–261.

61. Москалюк В.А., Тариелашвили Г.Т., Тимофеев В.И. Моделирование мощных полевых транзисторов (электрический режим) // Труды Междунар.конф. "Проблемы физической и биомедицинской электроники"–Киев.–1996.–С.366–369.

62. Prokopenko Y.V., Poplavko Y.M., Moskalyuk V.A., Pereverseva L.P., Timofeyev V.I. Feasibility of one-crystal pyroelectric array.–О возможности создания однокристальной пироэлектрической матрицы // Proc. Gallium Arsenide Application Symposium (GAAS-96).–Paris.–1996.

63. Приходько Н.В., Тимофеев В.И. Анализ подходов к моделированию объемно-интегральных активных полевых субмикронных структур // Труды 7-го международ. Форума «Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке».–Харьков.–2003.–С.82.

64. Семеновская Е.В., Тимофеев В.И. Схемотехническое моделирование теплових эффектов и эффекта саморазогрева в субмикронных гетероструктурных транзисторах // Труды 7-го международ. Форума «Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке».– Харьков.–2003.–С.81.

65. Семеновская Е.В., Тимофеев В.И. Моделирование тепловых процессов в транзисторах с гетероселективным легированием // Труды междунар. конф. «Физика и технология тонких пленок».–Ивано-Франковск.–2003.–Т.2.–С.127–128.

66. Блудов А.В., Тимофеев В.И. Моделирование интегральных детекторов на субмикронных диодах Шоттки // Труды 13-ой междунар. Крымской конф.”СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”.–Севастополь.–2003.–С.228–230.

У друкованих працях, написаних зі співавторами (прізвища співавторів наведені в списку використаних джерел), авторові належить:

у роботах [9], [10],[11], [13], [18], [19], [27], [29], [37-39] – постановка задачі, вибір методу розв'язання, математична реалізація;

у роботах [12], [15-17], [21], [22], [24], [25], [28], [60], [63], [64-66] – розроблення основних теоретичних засад;

у роботах [8], [14], [43], [44], [48], [53] ,[54], [55], [61] – огляд проблем, теоретичні дослідження;

у роботах [49], [50-52], [56-59], [62] – розробка моделей і алгоритмів, моделювання параметрів і проектування субмікронних компонентів, пристроїв і малошумлячих підсилювачів НВЧ і КВЧ діапазону;

у роботах [5], [20], [23], [26], [30-34], [40-42],[45-47],– теоретичні і практичні результати належать авторам рівною мірою.