Анотація до роботи:
Довгий О.Я. Напрямлені неоднорідності електричних властивостей у тонких плівках халькогенідів свинцю. – Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.18. – фізика і хімія поверхні. – Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника. Міністерство освіти і науки України, Івано-Франківськ, 2002. Методами вимірювання і розрахунку кінетичних параметрів виконано комплексні дослідження розподілу напрямлених неоднорідностей по товщині в епітаксійних і полікристалічних плівках халькогенідів свинцю. Показано, що для свіжовирощених із парової фази методом гарячої стінки плівок PbTe, PbSe, PbS із ефективною електронною провідністю на межі "підкладка-плівка", через наявність процесів фракціювання наважки, осаджується шар р-типу, а біля поверхні плівок із ефективною дірковою провідністю можливе формування n-шару. Встановлено, що якщо відпал у вакуумі плівок n-типу зумовлює тільки деяке зростання концентрації електронів, то у плівках із дірковою провідністю, біля вільної поверхні, формується шар n-типу провідності. Таким чином виникає двошарова p-n-структура. Експериментальні результати пояснено ревипаровуванням халькогену із поверхні і дифузією його вакансій в об’єм плівки. Запропоновано механізми акцепторної взаємодії кисню із плівками халькогенідів свинцю при їх парофазній епітаксії, пов’язані як із заміщенням киснем халькогену з утворенням вакансій у катіонній підгратці, так і з міжвузловим входженням кисню у кристалічну структуру основної матриці. Підтверджено, що ізохронний та ізотермічні відпали полікристалічних плівок n-типу в атмосфері, внаслідок дифузії кисню по границях кристалітів, призводять до утворення двошарової p-n-структури. Розроблені способи та визначені технологічні умови створення p-n-переходів у плівках халькогенідів свинцю при їх вирощуванні з парової фази методом гарячої стінки на сколах (111) монокристалів BaF2 та наступних відпалах у вакуумі та атмосфері кисню. | 