Анотація до роботи:

Кобус О.С. Релаксація фотопроцесів в плівках органічних напівпровідників, сенсибілізованих фулеренами. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Київський національний університет імені Тараса Шевченка. – Київ, 2008.

В роботі досліджено релаксацію фотофізичних властивостей аморфних органічних напівпровідникових полімерів полі – N – вінілкарбазолу (ПВК), полі – N – епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з допуючими їх фулеренами С₆₀ в тому числі під дією високоенергетичного електронного та іонного опромінення та встановлено механізми сенсибілізації фотогенерації електрон – діркових пар і електронних збуджень в таких нанокомпозитах. Проведено експериментальні дослідження кристалічної структури, оптичної провідності, польової залежності фотоструму, інфрачервоного поглинання синтезованих методами поливу і напилення плівок аморфних молекулярних напівпровідників ПВК і ПЕПК з різним вмістом допуючих фулеренів С₆₀. Проведено розрахунки польової залежності довжини термалізації та спектральної залежності квантового виходу фотогенерації носіїв заряду з використанням теоретичної моделі, в якій враховується взаємодія екситон них станів з оточенням. Показано, що в нанокомпозитах має місце утворення міжмолекулярних КПЗ, присутність яких призводить до зміни спектрів вказаних залежностей. Наявність таких комплексів супроводжується виникненням додаткового оптичного поглинання в широкому інтервалі довжин хвиль, зміною інтенсивності окремих смуг інфрачервоного поглинання для коливань мод фулеренів, суттєвою перебудовою спектрів фотолюмінесценції і оптичної провідності. Із зростанням концентрації фулеренів (~ 3 ваг.%)спостерігається їх агрегація і відповідно поява смуг фотолюмінесценції, властивих синглетному стану молекул С₆₀. Опромінення нанокомпозитів високоенергетичними бомбардуючими частинками у випадку значних флюенсів складним чином впливає на механізм релаксації енергетичних збуджень з участю молекулярних комплексів. З одного боку, відбувається сегрегація та виникнення значної кількості радіаційно пошкоджених фулеренів, що призводить до зменшення числа утворених молекулярних комплексів. З іншого боку, спостерігається збільшення числа фулеренів, в яких має місце перехід від синглетного до триплетного стану, що сприяє можливості подальшого зростання концентрації молекулярних комплексів. Розрахунки характеристик термалізації для кристалів пентацену і органічних напівпровідників добре узгоджується з теоретичним наближенням, яке передбачає взаємодію екситонних станів з оточуючими молекулами.

Публікації автора:

1.Булавін Л.А., Дмитренко О.П., Заболотний М.А., Білий М.М., Кобус О.С., Куліш М.П., Прилуцький Ю.І., Стащук В.С., Студзинський С.Л., Гринько Д.О. Фотопроцеси в плівках карбазолвмісних молекулярних комплексів з фулеренами // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – Т.28, №3. – С. 544–549.

2.Kоbus Е.S., Dmytrenko О.P., Kulish N.P., Prylutskyy Yu.I., Belyy N.М., Syromyatnikov V.G., Studzinskyy S.L., Zabolotnyy М.А., Gryn’ko D.А., Shchur D.V., Shlapatskaya V.V. Radiative recombination of PVC/C₆₀ molecular complexes with radiationinduced damages // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, – 2007. – V. 10, N 4. – P. 67–71.

3.Barabash Yu., Kharkyanen V., Kulish M., Dmitrenko O., Zabolotny M., Kobus E., and Sokolov N., Process of Thermalization of Charges Carriers in Organics Molecular Semiconductors // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнологій. – 2007. – т. 5, № 2. – C. 641–648.

4.Кулиш Н.П., Барабаш Ю.М., Заболотный М.А., Гринько Д.О., Дмитренко О.П., Кобус Е.С. Кинетика термализации носителей электрического заряда в органических молекулярных полупроводниках в сильных электрических полях.// ФТТ. – 2008. – Т.50, вып.7. – С. 1321–1326.

5.Заболотний М.А., Куліш М.П., Дмитренко О.П., Харкенен В.М., Барабаш Ю.М., Кобус О.С., Стасюк К.В. Спектральна залежність фотогенерації в фулереномістких аморфних молекулярних напівпровідниках // Вісник Київського університету. Серія: фізикоматематичні науки. – 2008. – вип.1. – С. 202–207.