Корчовий Андрій Адамович. Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / НАН України; Інститут фізики напівпровідників. — К., 2007. — 140арк. — Бібліогр.: арк. 126-137.
Анотація до роботи:
Корчовий А.А.Розсіяння Х-променів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2007.
Дисертація присвячена розробці експериментальних методів дослідження параметрів багатошарових планарних структур, розрахунку основних структурних властивостей плівок із спектрів відбиття Х–променів з використанням квазізаборонених рефлексів (КЗР) в бреггівській геометрії дифракції.
Застосовуючи напівкінематичне наближення теорії розсіювання Х-променів при розрахунках кривих дифракційного відбиття (КДВ) показано, що в короткоперіодних надгратках (НГ) зміна співвідношення інтенсивностей сателітів, розташованих з боку менших і більших кутів від нульового сателіта, залежать як від ступеня структурної досконалості (фактора Дебая-Валлера, параметра ближнього порядку), так і від рівня пружної деформації окремих шарів. Зазначений факт викликаний нерівноцінними фазовими змінами в структурному множнику кожного з реальних шарів.
Встановлено, що для адекватного опису КДВ від багатошарових структур необхідне врахуванням якомога більшого числа дифракційних параметрів, особливо в короткоперіодних надгратках далеко від кута точного бреггівського положення.
Обґрунтовано та апробовано нові експериментальні методи з використанням КЗР для отримання параметрів структур і композиційного розподілу в шарах НГ. При цьому вперше, встановлена можливість розділення внесків у відбивну здатність кожного з шарів структури окремо, висока чутливість КЗР до складу твердих розчинів субшарів, а також чутливість сателітів НГ до дефектної структури того або іншого шару.
Показано, що в структурах, один з шарів якої утворений елементами, які мало відрізняються атомними номерами, внеском цього шару в формування дифракційної картини можна знехтувати. Він буде давати внесок лише в зміну фази розсіяння.
Експериментально встановлений двохшаровий розподіл індію з різним його вмістом в областях квантових ям багатошарової структури InGaAs/GaAs та з’ясовано роль форми цього розподілу на формування КДВ у випадку дифракції Брегга.
Кладько В.П., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Литвин П.М., Когутюк П.П., Корчевой А.А. Применение квазизапрещенных рентгеновских рефлексов для исследования квантово-размерных структур // Металлофизика и новейшие технологии, – 2004. – Т.26, №2. – С.217-227.
Кладько В.П., Мачулин В.Ф., Молодкин В.Б., Первак Е.В., Корчевой А.А., Ефанов А.Н., Когутюк П.П., Скакунова Е.В. Влияние упорядочения в периодических структурах с квантовыми точками на характер брэгговской дифракции // Металлофизика и новейшие технологии. – 2004. – Т.26, №10. – C.1255-1265.
Кладько В.П., Єфанов О.М., Мачулін В.Ф., Стрельчук В.В., Корчовий А.А. Дослідження анізотропії залишкових деформацій в багатошарових (In,Ga)As/GaAs структурах з квантовими нитками методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії // Матеріали X-МКФТТП. – Івано-Франківськ, Україна. – 2005. – Т.2. – С.-28-29
Корчевой А.А., Гудименко О.Й., Єфанов О.М., Литвин П.М. Исследование низкоразмерных структур с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии при использовании квазизапрещенных рефлексов // Зб. тез Лашкарьовських читань для молодих вчених. – Київ, Україна, – 2003. – С.51.
Кучук А.В., Литвин О.С., Корчовий А.А., Прокопенко І.В., Осадча Н.В. Комплексне використання рентгенівських методів та атомно-силової мікроскопії для дослідження тонкоплівкових структур // Матеріали IX-МКФТТП. – Івано-Франківськ, Україна, – 2003. – Т.1. – С.163-164.
Кладько В.П., Мачулин В.Ф., Литвин П.М., Прокопенко І.В., Корчовий А.А., Гудименко О.Й. Исследование параметров и структуры квантовых ям InxGa1-xAs методами рентгеновской дифрактометрии// Сб. тезисов 4-го Международного украинско-русского семинара «Нанофизика и наноэлектроника». – Киев, Украина, – 2003. – С.67-68.
Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Валах М.Я., Литвин П.М., Корчовий А.А., Єфанов О.М., Стрельчук В.В., Мазур Ю.І. Дослідження особливостей вертикального та латерального впо-рядкування квантових точок в надграткових напівпровідникових структурах // Тези доповідей ІІ української наукової конференції з фізики напівпровідників, Чернівці. – 2004. – Т.2, – С.182.
Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Литвин П.М., Корчовий А.А., Прокопенко І.В., Гудименко О.Й., Єфанов О.М. Діагностика тонкої структури границь розділу фаз в надграткових структурах бінарних напівпровідників методом квазізаборонених відбиттів рентгенівських променів // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників, Чернівці, 2004, – Т.1. – С.175.
Кладько В.П., Єфанов А.Н., Мачулин В.Ф., Стрельчук В.В., Корчевой А.А., Mazur Yu.I.,Wang Z.M., Salamo G.J. Исследование анизотропии остаточних деформаций в многослойных структурах с квантовими нитями // Тези доповідей V Національної конференції по застосуванню рентгенівського, синхротронного випромінювання, нейтронів і електронів для дослідження матеріалів РСНЭ-НАНО-Росія, Москва - 2005. - С.158.