Анотація до роботи:

Заславський Б.Г. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні. Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.02.01 – матеріалознавство. – Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2005.

Дисертація присвячена розробці принципів нового методу витягування кристалів із розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється в тиглях перемінного по висоті перетину. У роботі також розглянуті технологічні основи автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів новим методом.

Вперше переборено основний і принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає в тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву.

Запропоновано новий інформаційний параметр – інтервал часу між дозованими підживленнями – який дозволив розробити надійну і просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих діаметрів автоматизувати стадію радіального росту.

На основі викладених принципів розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних ЛГК великих діаметрів:

установки типа “КРИСТАЛЛ” з підживленням розплавленою первинною сировиною;

установки типа “КРОС” з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною.

Швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) – до 5 мм/год, що дозволило в 2 рази збільшити продуктивність ростового устаткування.

Публікації автора:

1. Горилецкий В.И., Гринев Б.В., Заславский Б.Г., Смирнов Н.Н., Суздаль В.С. Рост кристаллов. Галогениды щелочных металлов. Харьков: Акта, 2002. - 535 с.

2. Заславский Б.Г. Состояние и перспективы автоматизированного вытягивания щелочногалоидных сцинтилляционных монокристаллов большого диаметра из расплава с изменяющейся геометрией свободной поверхности // Функциональные материалы для науки и техники. Под редакцией В.П.Семиноженко. Харьков: Институт монокристаллов. 2001. - С. 490 - 513.

3. Zaslavsky B.G., Vasetsky S.I., Kolesnikov A.V. Grinyov B.V., Mitichkin A.I., Kudin A.M., Voloshko A.Yu. The influence of gaseous atmosphere composition on heat transfer at pulling of CsI crystals // Functional Materials.-2005.- V.12.-No.1.- P.147-152.

4. Zaslavsky B.G., Vasetsky S.I. Granulation as a method for preparation of alkali halide salts for the growth of scintillation single crystals //Functional Materials.- 2004.- V.11, No.2.- P. 414 – 419.

5. Заславский Б.Г., Кисиль И.И., Васецкий С.И., Ляхов В.В., Колесников А.В., Ковалева Л.В., Зосим Д.И. Особенности вытягивания крупных кристаллов NaI(Tl) и CsI(Tl) высокого качества// Материаловедение.-2004.-Т.7 с.43-47.

6. Zaslavsky B.G., Kolesnikov A.V. On factors influencing the cross-section of single crystals automatically pulled from melt // Functional Materials.-2003.-No1.- P.37- 40.

7. Заславский Б.Г., Васецкий С.И., Кудин А.М., Трефилова Л.Н., Ковалева Л.В., Гресь В.Ю., Митичкин А.И., Сумароков С.Ю. Автоматизированное вытягивание из расплава кристаллов CsI(Tl,Br) и их сцинтилляционные и механические свойства // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.-2002.- №5.- С. 71-74.

8. Заславский Б.Г., Кисиль И.И., Ляхов В.В., В.С.Суздаль, Васецкий С.И. Состояние и перспективы развития автоматизированных методов вытягивания крупных сцинтилляционных щелочногалоидных монокристаллов с заданными свойствами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные, и нейтронные исследования 2002.- №5.- С.14-19.

9. Trefilova L.N., Kudin A.M., Kovaleva L.V., Zaslavsky B.G. Concentration dependence of the light yield and energy resolution of NaI(Tl) and CsI(Tl) crystals excided by gamma, soft X-rays and alpha particles// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.-2002.-A486.- P.474 - 481.

10. Andryustchenko L.A., Kudin A.M., Goriletsky V.I., Zaslavsky B.G., Zosim D.I., Charkina T.A., Trefilova L.N., Renker D., Ritt S., Mzavia D.A. Functional possibilities of organocilicon coatings on the surface CsI-based scintillators //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.– 2002.- A426.- P. 40-47.

11. Zaslavsky B.G., Vasetsky S.I., Kudin A.M., Gres V.Yu, Shpilinskaya L.N., Charkina T.A., Kovaleva L.V., Mitichkin A.I., Boyarintsev A.N., Sumarokov S.Yu. Scintillation and mechanical properties of CaI(Tl,Br) crystals pulled from melt// J. Crystal Growth.- 2001.-V.222.- P. 751-754.

12. Кудин А.М., Ананенко А.А., Выдай Ю.Т., Гресь В.Ю., Заславский Б.Г., Зосим Д.И. Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI(Tl) и CsI(Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий //Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение.- 2001.- №4.-С.111-116.

13. Zaslavsky B.G. Distinctive features of automated pulling of large scintillation alkali iodides single crystals without oxygen-containing impurities// J. Crystal Growth.- 2000.- V.218. - P.277 – 281.

14. Горилецкий В.И., Заславский Б.Г., Зосим Д.И., Ковалева Л.В., Кудин А.М., Шпилинская Л.Н. Влияние содержания активатора на выход радиолюминесценции, световой выход и энергетическое разрешение кристаллов CsI(Tl) //Известия ВУЗов. Материаловедение и технология. Диэлектрики.-2000.- №4.- С. 37 – 40.

15. Shpilinskaya L.N., Zaslavsky B.G. Kavaleva L.V., Vasetsky S.I., Kudin A.M., Mitichkin A.I. The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2000.- V.3.- No 2.- P.178-180.

16. Zaslavsky B.G., Automated Pulling of Large-Diameter Alkali-Halide Scintillation Single Crystals from the Melt// J. Crystal Growth.- 1999.- V.200.- P. 476-482.

17. Zaslavsky B.G., Kolotiy O.D., Kisil I.I., Suzdal V.S., Lyakhov V.V. Comparative analysis of thermal conditions at growing of large CsI(Tl) scintillation single crystals by automatic pulling from the melt using cylindrical and conical crucibles// Functional materials.- 1999.- V.6, No.4.- P. 760 – 766.

18. Zaslavsky B. G., Grinyov B. V., Suzdal V. S., Kudin A.M., Kisil I.I., Vasetsky S.I., Mitichkin A.I. Automated Growing of Large Alkali Halide Single Crystals // J. Crystal Growth.- 1999.- Vol. 198/199. - P. 856-859.

19. Суздаль В.С., Горилецкий В.И., Заславский Б.Г., Герасимчук Л.И., Звягинцев В.Н. Характерные особенности автоматизированного роста больших монокристаллов из расплава // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники.- 1999.- №2.- С. 46 – 49.

20. Zaslavsky B. G., Automated Pulling of Large-Diameter Alkali-Halide Scintillation Single Crystals from the Melt and Control of the activator Distribution therein // Functional Materials.- 1998.- V.5, P. 499-505.

21. Стадник П.Е., Суздаль В.С., Заславский Б.Г. Об автоматизации процессов получения кристалов больших размеров // Получение и свойства кристаллов, ВНИИ монокристаллов, Харьков, 1986. - №17. - С. 91-106.

22. Даниленко Э.В., Рыбкин Ю.Ф., Заславский Б.Г. Влияние катионов и анионов на поверхностный потенциал нитрата натрия // Электрохимия.-1972.- Т.VIII.- С.1714 – 1715.

23. Даниленко Э.В., Заславский Б.Г., Рыбкин Ю.Ф. Техника измерений поверхностных потенциалов расплавленных солей методом Кенрика // Электрохимия.-1971.- Т.VII.- С.1198 – 1199.

24. Пат. № 46202А (Україна) Кл. С30В 15/02. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву / Заславський Б.Г., Кісіль І.І., Ляхов В.В, Васецький С.І. (UA); Науково-дослідне відділення лужногалоїдних кристалів НТК “Інститут монокристалів” НАН України/ Заявл. 21.07.2000 № 2000074403, Опубл. 15.05.02 Бюлл. № 5.

25. Пат.1039253, РФ, кл. С 30 В29/12, С 30 В. Способ получения сцинтилляционного материала на основе щелочногалоидных монокристаллов/ В.И.Бобыр, С.И.Васецкий, Э.В.Даниленко, Б.Г.Заславский/ Заявл. 11.09.81, Опубл. 1993, Бюл. №14.

26. Патент РФ № 1143128, М. Кл. C30 B 15/00. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава / Б.Г.Заславский, Э.В.Даниленко, Т.Г.Колоколова. (СССР)/; № 3582430/23-26; Заявл. 28.02.83.

27. Патент РФ № 1122015, МКИ С30В 15/02, Устройство для вытягивания кристаллов из расплава/ Б.Г.Заславский, Э.В.Даниленко, О.С.Мюлендорф, В.Я.Апилат, Л.Д.Лисовиченко, - № 3390768/23-26 (СССР). Заявлено 23.12.1981г.

28. Патент РФ № 820277, М. Кл. C30 B 15/00. Устройство для выращивания кристаллов из расплава/ Б.Г.Заславский, В.Я.Апилат, Г.Б.Ефременко. (СССР)/; № 2860666/22-26; Заявл. 27.12.79.

29. А.С. 774291 (СССР) МКИ С30В 15/12. Устройство для выращивания кристаллов/ И.Т.Берданов, Б.Г.Заславский, Ю.А.Соломаха, П.Е.Стадник, - № 2647762/22-26 (СССР). Заявл. 17.06.1978 г.

30. А.С. 548312 (СССР) М. Кл. В 01J 17/18. Способ разращивания монокристаллов/ Заславский Б.Г., Стадник П.Е., Рыбкин Ю.Ф., Соломаха Ю.А., Гавриш В.А., Даниленко Э.В., Васецкий С.И., Ефимченко Г.И.- № 2097971/26; Заявл.17.01.1975; Опубл. 28.02.1977, Бюл. № 8.

31. А.С.618930 СССР, М. Кл. С 03С 7/04. Стеклокристаллическая эмаль для стали / Л.В.Бойко, Н.Ф.Бабич, В.Я.Бедношея, В.А.Иванов, Л.Г.Чемерко, М.И.Олейник, Б.Г.Заславский. (СССР)/; Научно исследовательский и конструкторско-технологический институт эмалированного химического оборудования.- № 2447296/29-33; Заявл. 27.01.77.

32. А. С. 698413 (СССР) М.Кл. G.01 T 1/20. Сцинтиллирующий элемент сцинтилляционного детектора рентгеновского и мягкого гамма-излучения/ Рыбкин Ю.Ф., Заславский Б.Г., Даниленко Э.В., Васецкий С.И., Баник В.В., Черников В.В., Кибальчич Г.А., Гуляев Ф.Е. (СССР) Заявка № 2064130/18-25; Заявл. 1.10.74.

33. Авт. свид. 374901 СССР B01j 17/06. Способ выращивания монокристаллов/ Ю.Ф.Рыбкин, Б.Г.Заславский, Ю.А.Соломаха. Заявл. 22.03.1971. Заявка № 1633338 (СССР) Опубл. Бюл. № 15, 1973.