Анотація до роботи:

Фартушинський Р.Б. Теорія електрон-фононної взаємодії у квантовоточкових наногетеросистемах. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.02 - теоретична фізика. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2002.

У дисертації основна увага приділяється вивченню особливостей взаємодії електрона (дірки) з різними модами поляризаційних коливань у напівпровідникових сферичних квантових точках, розташованих у масивних середовищах різного типу. Зокрема, досліджено перенормовану фононами нижню частину електронного та діркового спектрів у гетеросистемі напівпровідник/напівпровідник. На прикладі системи b-HgS/CdS для трьох нижніх енергетичних рівнів електрона та дірки отримано та проаналізовано залежності їх парціальних зсувів, зумовлених фононами різного типу, від радіуса ядра HgS. Здійснено порівняльний розгляд перенормованих електронних спектрів у сферичних квантових точках напівпровідник/діелектрик та діелектрик/напівпровідник/діелектрик. Розраховано та порівняно з експериментальними даними фононні повторення основного рівня у гетеросистемі CdSe/скло.