Анотація до роботи:

Гамарник А. М. Точкові дефекти і властивості легованих плівок та кристалів селеніду свинцю. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.18 – фізика і хімія поверхні. - Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника. Міністерство освіти і науки України. Івано-Франківськ, 2005 рік.

Дисертація присвячена теоретичному аналізу і експериментальному дослідженню впливу домішок вісмуту і талію на домінуючі точкові дефекти, їх взаємодії і механізми утворення, як у чистому селеніді свинцю, так і з надлишком компонент – свинцю і селену.

Встановлено, що у легованих вісмутом плівках селеніду свинцю, у залежності від надлишку селену чи свинцю, а також температури осадження Т_П вісмут проявляє амфотерні властивості: дефекти типу , які формують матеріал n-типу, або , які є акцепторами. Основними дефектами у плівках PbSe:Tl є акцепторні однозарядні атоми талію , які компенсуються двозарядними вакансіями халькогену .

Визначено вплив легуючої домішки Ві і Tl, введеної в наважку селеніду свинцю та технологічних факторів при вирощуванні плівок на концентрацію власних точкових дефектів та холлівську концентрацію носіїв струму. Показано, що збільшення вмісту легуючої домішки талію у PbSe при надлишку свинцю веде до зростання [], а вісмуту у PbSe:Bi - до [].

Показано, що у легованих вісмутом плівках PbSe при надлишку свинцю розподіл амфотерної домішки між катіонною і катіонною підгратками носить складний характер і визначається як температурою осадження Т_П, так і величиною парціального тиску пари свинцю в зоні осадження.

Досліджено легуючу дію домішок вісмуту та талію і явище самокомпенсації у масивних зразках PbSe насичених селеном і свинцем відповідно. Виконано квазіхімічний і термодинамічний розрахунки рівноважної концентрації точкових дефектів, визначено їх константи рівноваги і ентальпії.

Отимізовано технологічні фактори вирощування плівок з парової фази методом “гарячої стінки” та кристалів PbSe легованих вісмутом і талієм, що забезпечують n- або р- тип провідності матеріалів з мінімальними концентраціями і максимальними рухливостями , які необхідно для приладових структур опто- і мікроелектроніки.

Ключеві слова: тонкі плівки, селенід свинцю, домішки вісмуту і талію, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння.