Анотація до роботи:

Маркевич С.М. Удосконалення технології вирощування монокристалів GaAs для детекторів рентгенівського і -випромінювання. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06. – Технологія обладнання та виробництво електронної техніки. – Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, Кременчук, 2008.

Дисертаційна робота присвячена удосконаленню технології вирощування монокристалів GaAs, придатних для виготовлення детекторів рентгенівського і g-випромінювання, що мають покращене значення параметра mt.

Проведено математичне обґрунтування експрес-методу вимірювання значення параметра mt, в результаті якого отримано аналітичну залежність параметра від напруги зсуву U_СМ. Розроблено і впроваджено пристрій автоматизованого вимірювання значення параметра mt. На основі проведених теоретичних і експериментальних досліджень встановлено: вплив флуктуацій температури і конвективних процесів в камері установки вирощування; умови синтезу полікристалічного GaAs; умови вакуум-термічної обробки графітового теплового вузла установки вирощування на електрофізичні параметри монокристалів GaAs.

Розроблено схему технологічного маршруту вдосконаленої технології вирощування монокристалів GaAs, придатних для виготовлення детекторів рентгенівського і g-випромінювання, що мають покращені значення параметра mt. Результати розробок впроваджено в промислову експлуатацію на установках
«Арсенід-1» ВАТ «Чисті метали», м. Світловодськ.

Публікації автора:

1. Оксанич А.П., Маркевич C.М., Шепель Л.Г. Оптимизация динамических характеристик процесса выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского. // Нові технології. Науковий вісник Інституту економіки та нових технологій. – 2004. - № 1–2 (4–5). - С. 125–128.

2. Шепель Л.Г., Маркевич C.М. Принципы модернизации установки для выращивания совершенных кристаллов GaAs большого диаметра. // Нові технології. Науковий вісник Інституту економіки та нових технологій. – 2004. - № 3 (6). - С. 62–64.

3. Оксанич А.П., Шепель Л.Г., Маркевич С.М., Резвицкий В.В. Зависимость электрофизических параметров кристаллов GaAs от условий синтеза. // Нові технології. Науковий вісник Інституту економіки та нових технологій. – 2005. - № 1–2 (7–8). - С. 5-8.

4. Оксанич А.П., Шепель Л.Г., Маркевич С.М., Рябиков В.М. Разработка метода и аппаратуры измерения произведения mt кристаллов ПИН GaAs, промышленно выращиваемых для датчиков ионизирующего излучения. // Системні технології. – 2006. - № 5 (46). – С. 127–138.

5. Шепель Л.Г., Кротюк І.Г., Маркевич С.М. Определение транспортных свойств носителей заряда в радиационно чувствительных монокристаллах GaAs. // Нові технології. Науковий вісник Інституту економіки та нових технологій. – 2005. - № 4 (10). - С. 31–34.

6. Оксанич А.П., Шепель Л.Г., Тербан В.А., Маркевич С.М. Влияние условий предварительной термообработки теплового узла на электрофизические параметры ПИН GaAs при выращивании монокристаллов методом Чохральского. // Нові технології. Науковий вісник Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління. – 2007. - № 3 (17). - С. 9-12.

7. Оксанич А.П., Шепель Л.Г., Маркевич С.М. Разработка алгоритма обработки результатов измерения параметра mt полупроводниковых детекторных материалов // Складні системи і процеси. – 2007. - № 1. – С. 93–98.

8. Гаврилюк Ю.Н., Маркевич С.М. Особенности выращивания монокристаллов GaAs большого диаметра в промышленных установках // Сб. работ 10-й Юбилейной международной научной конференции. «Теория и техника передачи, приема и обработки информации». – Харьков-Туапсе, 2004. – Ч. 1. – С. 333.

9. L.G. Shepel’, S.M. Markevich, I.G. Krotyuk. mt measurement parameter method developed for GaAs single crystal radiation sensitivity control // in Book of abstracts of The 2^nd International Conf. on Phys. of Laser Cryst. – Big Yalta, 2005. – P. 136.

10. Маркевич С.М. О задачах управления процессом выращивания монокристаллов арсенида галлия // Сб. работ 10-го Юбилейного международного молодежного форума «Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке». – Харьков: ХНУРЕ, 2006. – С. 135.