Анотація до роботи:

Притчин С.Э. Удосконалення технології вирощування зливків кремнію з рівномірним розподілом кисню - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за фахом 05.27.06. - Технологія, устаткування і виробництво електронної техніки. - Харківський національний університет радіоелектроніки, Харків, 2003.

Дисертація присвячена удосконаленню технології вирощування зливків кремнію з рівномірним розподілом кисню по довжині шляхом програмування технологічних параметрів вирощування. У роботі проведено аналіз механізму впровадження і розподілу кисню і вплив на цей процес технологічних параметрів. Показано, що основним джерелом кисню в зливку кремнію є процес розчинення кварцового тигля. Проведено експериментальні дослідження швидкості розчинення кварцового тигля, яка склала 7,5 мг/(см²*г) - 3,2 мг/(см²*г). Побудовано математичну модель зміни концентрації кисню в розплаві залежно від довжини вирощеного зливка. Визначено основні технологічні параметри, керування якими дозволяє впливати на розподіл кисню.

Розроблено і метрологічно атестовано методику вимірювання осьової і радіальної концентрації кисню. Похибка методики склала 0.08 *10¹⁷ см ^-3. Запропоновано принцип побудови розподіленої системи керування вирощуванням зливків, яка забезпечує вирощування зливків із нормованою концентрацією кисню, розроблено структурну і функціональну схему системи. Для зменшення коливань швидкості вирощування і частоти обертання тигля, що впливають на нерівномірність концентрації кисню в зливку, розроблено телевізійний давач вимірювання діаметра зливка, який забезпечує точність вимірювання ± 1.0 мм, і давач вимірювання швидкості витягування і частоти обертання тигля, що забезпечує точність вимірювання ± 0.4 %.

Удосконалено технологію і розроблено програмні профілі вирощування зливків кремнію з осьовою концентрацією кисню в межах ± 1.5*10¹⁷ см^-3, радіальною концентрацією кисню менше 6%, і відхилення діаметра зливка від заданого ± 1.5 мм.

Публікації автора:

1. Оксанич А.П., Притчин С.Э. Определение геометрических характеристик объектов телевизионным методом в сложных физических условиях.// Научные труды КГПИ.- Вып 2/2000 (8). – Кременчуг: КГПИ. – С. 356–361.

2. Оксанич А.П., Притчин С.Э. Определение телевизионным способом диаметра монокристалла кремния на разных стадиях его роста // Научные труды КГПИ.- Вып 2/2001 (8). – Кременчуг: КГПИ. – С. 376–381.

3. Oksanich A.P., Pritchin S.E., Vdovichenko N.D Principles of the control system for dislocation-free silicon single crystal growing under maintaining the crystal diameter and melt temperature // Functional materials. - 2001. - Vol. 8, № 2. - P. 377-380.

4. Оксанич А.П., Притчин С.Э., Перваков А.С. Метод контроля уровня расплава при выращивании структурно-совершенных монокристаллов кремния по методу Чохральского // Радиоэлектроника и информатика. – Харьков: ХНУРЭ. – 2001. - №4. – С. 43-46.

5. Притчин С.Э. Коваленко Н.Н. Оценка алгоритмов распознавания образов фигур для определения типов структурных несовершенств монокристалла кремния. Системные технологии. Региональный межвузовский сборник научных трудов – Выпуск 4(15), Днепропетровск, 2001, стр.3 – 11.

6. Притчин С.Э. Сусленков Д.В. Физическая модель ростовой установки для исследования систем управления процессом выращивания кристаллов по методу Чохральского. Системные технологии. Региональный межвузовский сборник научных трудов – Выпуск 6 (23), Днепропетровск, 2002, стр.61 – 66.

7. Оксанич А.П., Притчин С.Э. Управление неравномерностью распределения кислорода по длине монокристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых методом Чохральского.// Радиоэлектроника и информатика. – Харьков: ХНУРЭ. – 2003. - №2. – С. 23-26.

8. Притчин С.Э., Ткаченко С.В. Высокоточный метод контроля скорости выращивания слитков кремния.// Новые технологии.// Кременчуг: ИЕНТ. – 2003. - №1. с. 25 – 27.

9. Спосіб вирощування монокристала та пристрій для його здійснення. / Третьяков О.В., Оксанич А.П., Притчин С.Е., Петренко В.Р., Слюсаренко О.А. – а.с. UA 47988 A. 2002 г.