Ренгевич Алексей Евгеньевич. Влияние гамма-радиации и СВЧ излучения на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки: Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / НАН Украины; Институт физики полупроводников. - К., 2001. - 158 л. : табл. - Библиогр.: л. 119-134.