Анотація до роботи:

Табрізі М. Вплив багаторазового розсіяння на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання назад. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.16 – фізика ядра, елементарних частинок і високих енергій. – Харківський національний університет ім. В.Н. Каразина, Харків, 2004.

Дисертація присвячена теоретичному дослідженню впливу багаторазового розсіяння релятивістських електронів у кристалі на їхнє параметричне рентгенівське випромінювання назад при падінні частинок під малим кутом до однієї з кристалографічних осей. Для опису цього процесу запропонована теорія, яка ґрунтується на методі функціонального інтегрування. Здобуто формули для спектрально-кутової густини випромінювання релятивістського електрона, який розсіюється в середовищі з неоднорідною діелектричною проникністю. Досліджено вплив когерентного і некогерентного розсіяння електронів у кристалі на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання “назад” з урахуванням обмеженої товщини кристалу. Визначено умови, за яких багаторазове розсіяння дає визначальний внесок до ширини ліній параметричного рентгенівського випромінювання. Проведено числовий аналіз ширин ліній параметричного рентгенівського випромінювання для деяких експериментальних ситуацій . Запропоновані нові експерименти по дослідженню параметричного рентгенівського випромінювання, в яких визначальний внесок у ширину ліній вносить процес багаторазового розсіяння частинок у кристалі. Передбачено ефект розщеплення ліній параметричного рентгенівського випромінювання “назад” на декілька ліній, обумовлений процесом площинного каналювання релятивістських позитронів у кристалі.

Основні результати виконаних у дисертації досліджень полягають у наступному:

1. Здобуто загальну формулу для спектрально-кутової густини випромінювання швидкої зарядженої частинки, яка рухається по заданій траєкторії в середовищі з неоднорідною діелектричною проникністю. На основі цієї формули розвинута теорія параметричного рентгенівського випромінювання релятивістських електронів у кристалі при падінні частинок під малим кутом до однієї з кристалографічних осей. У теорії враховано вплив на характеристики перехідного рентгенівського випромінювання як скінчених розмірів кристала, так і малих відхилень траєкторії частинки в кристалі.

2. Розглянуто вплив багаторазового розсіяння частинок у кристалі на спектрально-кутові характеристики її параметричного рентгенівського випромінювання. Для опису цього процесу вперше запропоновано і розвинуто метод функціонального інтегрування. Доведено, що можливість використання цього методу в розглядуваній задачі обумовлена тим, що функціонал, який потрібно усереднити, має гаусів вигляд, а сам процес, з яким пов'язане багаторазове розсіяння частинки в кристалі, у низці випадків можна розглядати як гаусів процес. Важливою особливістю процесу багаторазового розсіяння частинок у кристалі при падінні пучка під малим кутом до однієї з кристалографічних осей є те, що цей процес асиметричний у площині, ортогональній до кристалічної осі. При цьому багаторазове розсіяння може мати як когерентний, так і некогерентний характер. Окремо розглянуто випадок параметричного випромінювання «назад», коли внеском у випромінювання інших типів випромінювання, таких, як гальмівне та когерентне, можна зневажити. Розвинуто процедуру обчислення функціональних інтегралів, які визначають вплив когерентного та некогерентного розсіяння частинок у кристалі на характеристики параметричного рентгенівського випромінювання в цьому випадку.

3. Досліджено вплив процесів багаторазового розсіяння електронів на ланцюжках атомів кристала і багаторазового розсіяння на теплових коливаннях атомів ґратки на ширину ліній параметричного рентгенівського випромінювання «назад». Знайдено спрощені формули для опису впливу цих процесів на ширини ліній параметричного рентгенівського випромінювання. Визначено умови, при яких кожний з цих механізмів багаторазового розсіяння вносить визначальний внесок у ширини ліній. Проведено числовий аналіз ширин ліній параметричного рентгенівського випромінювання «назад» для низки експериментальних ситуацій.

4. Досліджено вплив явища каналювання частинок у кристалі на форму ліній параметричного рентгенівського випромінювання «назад». Передбачено ефект розщеплення ліній параметричного рентгенівського випромінювання «назад» на кілька вузьких ліній, обумовлених площинним каналюванням релятивістських позитронів у кристалі. Здобуто умови, при яких розглядуваний ефект може бути виділений на тлі розширення ліній, пов'язаного з впливом багаторазового розсіяння на параметричне рентгенівське випромінювання.

Публікації автора:

1. Шульга Н.Ф., Табризи М. Влияние многократного рассеяния на ширину линии параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов в кристалле // Письма в ЖЭТФ.-2002.-Т.76.-Вып.5.-С.-337-340.

2. Shul’ga N.F., Tabrizi M. Method of functional integration in the problem of line width of parametric X-ray relativistic electron radiation in a crystal // Phys.Lett.-2003.-V.308A.-P.467-470.

3. Шульга Н.Ф., Табризи М. О ширине линии параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов в кристалле // Вісник Харківського національного університету. серія. Фіз. “Ядра, частинки, поля”.-2003.-№ 585.-Вип.1/21.-С.28-38.

4. Шульга Н.Ф., Табризи М. Теория ширины линии параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов и позитронов в кристалле // Вісник Харківського національного університету. серія. Фіз. “Ядра, частинки, поля”.-2003.-№ 601.-Вип.2/22.-С.51-59.

5. Shul’ga N.F., Tabrizi M. The Method of functional integration in the problem of multiple scattering influence on line width of parametric X-ray radiation // Book of abstracts of the V Inter. Sym. on Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS-01).-Tomsk (Russia), 2001.-P.77.

6. Шульга Н.Ф., Табризи М. О ширине линии параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов в кристалле // Тезисы докладов XXXII Междунар. Конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами.-М.: Изд. МГУ, 2002.-С.55.

7. Shul’ga N.F., Tabrizi M. Multiple scattering influence on parametric X-ray radiation of relativistic electrons in a crystal // Book of abstracts of the XX International Con. on Atomic Collisions in Solids (ICACS 20).-Toshali Sands (India), 2003.- P.90.

8. Shul’ga N.F., Tabrizi M. The line width of “backward” parametric X-ray radiation of relativistic electrons in a crystal // Book of abstracts of the 2003 Particle Accelerator Conference (PAC).-Portland (USA), 2003.-P.26.

9. Шульга Н.Ф., Табризи М. О влиянии многократного рассеяния на параметрическое рентгеновское излучение релятивистских электронов в кристалле // Тезисы докладов XXXIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами.-М.: Изд. МГУ, 2003.-С.54.

10. Shul’ga N.F., Tabrizi M. The relativistic electron coherent and non-coherent multiple scattering effects on the line width of “backward” parametric X-ray radiation in a crystal // Book of abstracts of the VI Inter. Sym. on Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS-03).-Tomsk (Russia), 2003.-P.29.

11. Shul’ga N.F., Tabrizi M., Theory of line width of “backward” parametric X-ray radiation // Book of abstracts of the XXIII International Con. on Photonic, Electronic and Atomic Collisions.-Stockholm (Sweden), 2003.-P.198.