Анотація до роботи:

Рувінський Б.М. Вплив технологічних факторів на дефектну підсистему і електронні процеси у плівках халькогенідів свинцю PbTe, PbSe і PbS. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.18 – фізика і хімія поверхні. Прикарпатський університет імені Василя Стефаника. Івано-Франківськ, 2003.

В дисертації викладено теоретичні і експериментальні дослідження впливу технологічних умов одержання і відпалу плівок на дефектну підсистему та електронні процеси у плівках PbTe, PbSe і PbS.

Сформульована і розроблена вперше модель дефектоутворення тонких плівок халькогенідів свинцю в технології гарячої стінки з одночасним урахуванням складного спектра зарядових станів дефектів, внутрішніх напружень в плівці і роду підкладок, а також кінетики ізотермічного вакуумного відпалу з виникненням двошарової p-n-структури у плівках p-PbS. З'ясовано кристалохімічний механізм виділення вільної фази свинцю при парофазній епітаксії плівок PbTe і PbSe, який пов'язаний з дисоціацією сполук при випаровуванні і накопленням міжвузловинних атомів свинцю в конденсаті. Встановлено, що при взаємодії плівок PbSe із залишковим киснем відбуваються в основному заміщення селену киснем і входження іонів кисню у міжвузловину. При низьких тисках кисню (10^-7–10^-2 Па) і кімнатній температурі отримано вперше пояснення кінетики поверхневої концентрації електронів у плівках n-PbTe за допомогою уявлень про комплексоутворення власних дефектів з киснем.

Проведене теоретичне і експериментальне дослідження кінетики концентрації електронів при вакуумному відпалі плівок n-PbTe з участю кисню виявило суттєву роль дифузійних процесів атомів і вакансій телуру.

Публікації автора:

Статті

1. Рувінський Б.М. Кінетика ефективної рухливості носіїв заряду в тонких плівках PbS при ізотермічному вакуумному відпалі // Вісник Прикарпатського ун-ту. Сер. природничо-математичних наук. – 1996. – Вип.2. – С.147-151.

2. Фреїк Д.М., Рувінський Б.М., Рувінський М.А., Матеїк Г.Д. Профіль концентрації носіїв струму у тонких плівках PbS при ізотермічному відпалі // Укр. фіз. журн. – 1998. – Т.43. – №1. – С.77-79.

3. Рувінський Б.М., Рувінський М.А. Вплив електричного і магнітного полів на процес ізотермічного відпалу у вакуумі тонких плівок PbS // Вісник Прикарпатського ун-ту. Математика. Фізика. Хімія. – 1999. – Вип.1. – С.85-93.

4. Рувінський М.А., Рувінський Б.М. Про вакуумний відпал тонких плівок PbS в електричному і магнітному полях // Фізика і хімія твердого тіла. – 1999. – Т.3. – №7. – С.133-138.

5. Рувінський М.А., Фреїк Д.М., Рувінський Б.М., Матеїк Г.Д. Нові підходи у кристалохімії власних атомних дефектів халькогенідів свинцю // Фізика і хімія твердого тіла. – 2000. – Т.1. – №1. – С.125-130.

6. Рувинский М.А., Фреик Д.М., Рувинский Б.М., Прокопив В.В. О механизме образования и зарядовых состояниях собственных атомных дефектов в пленках теллурида свинца // Письма в ЖТФ. – 2000. – Т.26. – Вып.15. – С.6-11.

7. Рувінський Б.М. Процеси дефектоутворення в тонких плівках халькогенідів свинцю. Евріка-1. Збірник студентських наукових праць. – Івано-Франківськ: Плай, 2000. – 116-119.

8. Фреик Д.М., Прокопив В.В., Рувинский Б.М., Козич О.В., Пыц М.Ф. Влияние условий выращивания на дефектную подсистему в пленках теллурида свинца // Фотоэлектроника. – 2000. – Вып.9. – С.40-42.

9. Рувинский Б.М., Фреик Д.М., Рувинский М.А. Кристаллохимия собственных дефектов в пленках халькогенидов свинца с учетом механических напряжений и рода подложек // Фізика і хімія твердого тіла. – 2000. – Т.1. – №2. – С.185-193.

10. Рувінський Б.М. Просторово-часовий розподіл компонентів приповерхневого шару плівок халькогенідів свинцю при вакуумному відпалі // Вісник Прикарпатського ун-ту. Математика. Фізика. – 2000. – Вип.1. – С.61-66.

11. Рувінський Б.М., Фреїк Д.М., Рувінський М.А., Галущак М.О. Утворення металічної фази при синтезі плівок халькогенідів свинцю квазірівноважними методами // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – Т.2. – №1. – С.153-159.

12. Рувінський Б.М., Фреїк Д.М., Рувінський М.А., Галущак М.О. Вплив випаровування у вакуумі на приповерхневий шар плівок халькогенідів свинцю // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – Т.2. – №2. – С.241-246.

13. Freik D.M., Ruvinskii M.A., Ruvinskii B.M., Galushak M.A. Crystallochemistry of defects in lead telluride films // Semiconductor Physics. Quantum Electronics. Optoelectronics. – 2001. – V.4. – N1. – P.5-8.

14. Фреїк Д., Рувінський М., Прокопів В., Рувінський Б., Козич О. Нові підходи в поясненні механізмів дефектоутворення у кристалах і плівках халькогенідів свинцю. Фізичний збірник НТШ. – Львів: НТШ, 2001. – Т.4. – С.135-141.

15. Рувінський Б.М. Рівноважні концентрації носіїв струму і дефектів у плівках PbSe при вирощуванні з парової фази і окисленні // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – Т2. – №4. – С.565-577.

16. Фреик Д.М., Рувинский Б.М., Рувинский М.А., Галущак М.А., Довгий О.Я. Влияние внутренних напряжений на дефектообразование в пленках теллурида свинца при парофазной эпитаксии // Журн. физ. химии. – 2002. – Т.76. – №2. – С.362-368.

17. Рувінський Б.М., Фреїк Д.М., Рувінський М.А. Вплив дифузії атомів і вакансій телуру на електрофізичні властивості плівок n-PbTe при вакуумному відпалі // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т.3. – №1. – С.70-75.

18. Рувінський Б.М. Профіль розподілу носіїв заряду в полікристалічних плівках PbS при відпалі з поглинанням кисню // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т.3. – №2. – С.265-267.

19. Фреїк А.Д., Рувінський Б.М., Довгий О.Я., Галущак М.О. Дефектна підсистема тонких плівок PbSe при парофазній епітаксії з участю кисню // Укр. фіз. журн. – 2002. – Т.47. – №8. – С.769-772.

Патенти

1. Спосіб отримання тонких плівок p-PbTe із високою анізотропією термо-е.р.с.: Пат. України, МКВ С 30 В 11/02 / Фреїк Д.М., Рувінський Б.М., Галущак М.О., Довгий О.Я., Калинчук І.В. (Україна); Прикарпатський університет. – №2002043665; заявлено 30.04.2002.

2. Спосіб отримання легованих плівок PbTe n- і p-типу: Пат. України, МКВ С 30 В 11/02 / Фреїк Д.М., Павлюк Л.Р., Рувінський Б.М., Яцура А.М., Нижникевич В.В. (Україна); Прикарпатський університет. – №2001117561; заявлено 06.11.2001.

3. Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню: Пат. України, МКВ С 30 В 11/02 / Довгий О.Я., Фреїк А.Д., Никируй Л.І., Рувінський Б.М., Павлюк Л.Р. (Україна); Прикарпатський університет. – №2001106883; заявлено 10.10.2001.

Матеріали і тези конференцій

1. Рувінський Б.М., Фреїк Д.М., Рувінський М.А. Модифікація приповерхневого шару плівок халькогенідів свинцю у вакуумі // Сб. докладов 12 Международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике". – Харьков. – 2001. – С.235-237.

2. Рувінський Б.М. Вплив процесів випаровування у вакуумі на просторово-часовий розподіл компонентів у приповерхневому шарі плівок халькогенідів свинцю // VIII Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок. Матеріали конференції. – Івано-Франківськ. – 2001. – С.88-89.

3. Рувинский Б.М., Фреик Д.М., Рувинский М.А. Влияние технологических факторов на дефектную подсистему пленок PbSe при парофазной эпитаксии с участием кислорода. Сб. докладов 14 Международного симпозиума "Тонкие пленки в оптике и электронике" – Харьков: ИПЦ "Контраст", 2002. – С.125-129.

4. Рувинский Б.М., Рувинский М.А. Взаимодействие пленок теллурида свинца с кислородом при низких давлениях. Сб. докладов 14 Международного симпозиума "Тонкие пленки в оптике и электронике". – Харьков: ИПЦ "Контраст", 2002. – С.134-137.

5. Ruvinskii B.M., Ruvinskii M.A. Influence of technological factors on the defective subsystem of PbSe and PbTe films under vapor-phase epitaxy with oxigen // Тези доповідей 1^ої Української наукової конференції з фізики напівпровідників (з міжнародною участю). Т.2. – Одеса, Україна: ОНУ, 2002. – С.234-235.

6. Ruvinskii B.M. Effect of diffusion of tellurium atoms and vacancies on electrophysical properties of n-PbTe films at a vacuum annealing // Тези доповідей 1^ої Української наукової конференції з фізики напівпровідників (з міжнародною участю). Т.2. – Одеса, Украина: ОНУ, 2002. – С.39.

7. Рувинский М.А., Рувинский Б.М., Фреик А.Д., Бойчук В.М. Дефектообразование в пленках PbSe при парофазной эпитаксии с участием кислорода и водорода // Тезисы международной конференции по физике электронных материалов. – Калуга, Россия: КГПУ, 2002. – С.164.